發(fā)布時(shí)間：2021-10-31 15:09

　　<正>我們不斷向先進(jìn)的CMOS的微縮和新存儲(chǔ)技術(shù)的轉(zhuǎn)型,導(dǎo)致半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜化。例如,在3D NAND內(nèi)存中,容量的擴(kuò)展通過垂直堆棧層數(shù)的增加來實(shí)現(xiàn),在保持平面縮放比例恒定的情況下,這帶來了更高深寬比圖形刻蝕工藝上的挑戰(zhàn),同時(shí)將更多的階梯連接出來也更加困難。人們通過獨(dú)特的整合和圖案設(shè)計(jì)方案來解決工藝微縮帶來的挑戰(zhàn),但又引入了設(shè)計(jì)規(guī)則方面的難題。 

【文章來源】：電子工業(yè)專用設(shè)備. 2020,49(04)

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

圖１電容器接觸點(diǎn)諸果帶意＇圖??＇滕器接觸點(diǎn)??４添加重要度量??ＳＥＭｕｌａｔｏｒ３Ｄ支持添加兩種幾何測量備第一種??

Ｕ．Ｕ２ＭＵＭ１??Ｕ．ＣＭ?？?？．Ｕｆｎｉｔｔ４７??ＵＬ?ｍａｏｎａ＾Ｏ）?－?ｌｌ．ｉＪｔＴＵＶｔ??？?－ＯｔａｎｍＯｉ）?－?Ｈ．ｉ％ＡＴｔ７ｉｎｔ??Ｗ?－?＊７，Ｈ？Ｗｔ??＞＊＿ｍ？?Ｉ？＜ｌ？?？??ＭａＢｌｉＭａｏＭＭ?Ｂ??■＊?■?■??，ｉ?＿?ｉ?Ｂｈ．ｉｕｐ?＊？??ｔｄ．ｔｓ．ｓｐｆ?－??ｔａｊｏｊｏｔ?？??＿結(jié)構(gòu)撞壺－接滅??３Ｄ結(jié)果和薦積測Ａ??靈頭所指??襲示電容??器．接觸點(diǎn)??與ＡＡ商：??的接觸點(diǎn)??．圖２歲擬＿量步驟（頂部）鮚：構(gòu)搜索步驟底部）翁示圖??（總第?２８３?期）??

數(shù)可以通過器件電學(xué)性能??模擬來提齲通過使用與圖２相同的橈型，該演示??可以在ＳＥＭｕｌａｔｏｒ３Ｄ中進(jìn)行器件電莩仿真，??閣３所示為ＳＥＭｕｌａｔｏｒ３Ｄ可祺別３Ｄ結(jié)構(gòu)中??的器件端口，弁像ＴＣＡＤ中那樣仿＊電學(xué)性能．，??但不需要進(jìn)行耗時(shí)的ＴＣＡＤ建模。??該軟件有助于識(shí)別３Ｄ結(jié)構(gòu)中器件的端口和??電極，并模擬器件的特性，如溫度、帶隙和電子／??孔遷移率。該軟件允許手動(dòng)和自動(dòng)識(shí)別節(jié)點(diǎn)（一個(gè)??或多個(gè)連接＃一起的■腳初賴電壓或電流霄以??與選定節(jié)點(diǎn)的電麗掃插一起設(shè)ｇｙ??圖３中的電學(xué)仿真示例顯，示了兩個(gè)柵極、兩個(gè)??源１?一個(gè)漏．和一個(gè)襯底？工程師可以＿由設(shè)置偏黧??電壓或初始電壓以及電壓掃描，如ＤＲＡＭ示例偏??：鷺電＿所示。??然后：Ｘ程師可以使用該軟件自動(dòng)提取重要??電學(xué)性能指標(biāo)，如一個(gè)電壓點(diǎn)上的閾值電壓（４）、??亞＿值擺幅（ＳＳ）、漏致勢鼙下降（Ａａ）和開＇啟電??流（／Ｍ）。這些功能無需耗時(shí)和嚴(yán)格的ＴＣＡＤ建模??即可實(shí)現(xiàn)，同時(shí)可以體現(xiàn)３Ｄ工苦變化對(duì)電學(xué)性??能的＿＿：晌》??ＤＲＡＭ雜偏賃??節(jié)點(diǎn)名稱??端口??初始電壓／Ｖ??電壓掃描／Ｖ??漏極節(jié)點(diǎn)??Ｄｒａｉｎ?１??０??０－１．１??源極節(jié)點(diǎn)??Ｓｏｕｒｃｅｌ??０??無，固定??柵極節(jié)點(diǎn)??ＮＧａｔｅ２??０??０？３??襯底??Ｓｕｂ??０??－０．８?？０．４??ＳＳ２??Ｓｏｕｒｃｅ２??０??無，固定??ＮＧａｔｅ２??ＮＧａｔｅ２??－０．１??無，固定??１Ｅ－０３「??電壓掃描：??Ｆｄ、Ｆｓｕｂ，然啟是??ｉｄｖｇ＠ｖｄ＝＼．ｉ?ｖ??ＩＥ－０５＇?產(chǎn)，－??ＩＥ－０７＇?／??■?１Ｅ－０９＾


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