本課題實現(xiàn)了蘇州國芯科技有限公司的基于C*Core 32位RISC CPU的NAND Flash控制器的設(shè)計,以及部分NAND Flash Memory （NAND型閃存）在本控制器上的典型應(yīng)用。研究的目的是為了實現(xiàn)一款控制器芯片,它能夠滿足市場上大部分NAND Flash Memory應(yīng)用要求,并且在性能上超過同類產(chǎn)品。首先,描述了本項目芯片的各個功能模塊、硬件資源。芯片本身提供了32位寬的數(shù)據(jù)端口以及其他必要控制信號。為了在性能上獲得優(yōu)勢,設(shè)計并實現(xiàn)了最大4片8位和最大2片16位NAND Flash Memory端口并聯(lián)操作,一般控制器都是單片8位或者16位單獨使用。端口并聯(lián)使控制器訪問大容量慢速NAND Flash Memory方面,尤其是MLC、TLC類型,大大超過同類產(chǎn)品。其次,重點在于實現(xiàn)了該芯片中NAND Flash控制器的固件結(jié)構(gòu),固件大致分為FTL層（Flash Translation Layer）、MTD層（Memory Technology Device）和驅(qū)動層。在驅(qū)動和MTD層,設(shè)計了自動偵測和信息配置相結(jié)合的方式,動態(tài)封裝了NAND Flash物理存儲單元在... 

【文章來源】：復(fù)旦大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

NANDFlashMemory接口示意圖

第二章控制器的硬件實現(xiàn)第一節(jié)NANDFlashMemory接口描述本課題的目標(biāo)之一是兼容市場上大部分NANDFlash以及類似閃存產(chǎn)品，從大廠商公布的產(chǎn)品Datasheet來看，大多數(shù)的產(chǎn)品引腳定義如圖2.1NANDshMemory接口示意圖所示:

芯片項目結(jié)構(gòu)框圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]磨損均衡算法在NAND Flash管理中的改進(jìn)[J]. 潘沁,周新志,魏剛.  微計算機信息. 2007(07)
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[3]基于Flash存儲器的嵌入式文件管理器設(shè)計[J]. 羅華春,徐堃.  交通與計算機. 2005(01)
[4]日志結(jié)構(gòu)的嵌入式文件系統(tǒng)研究[J]. 顧寶根,顧喜梅.  計算機工程與設(shè)計. 2004(06)



本文編號：3451817