本課題實(shí)現(xiàn)了蘇州國(guó)芯科技有限公司的基于C*Core 32位RISC CPU的NAND Flash控制器的設(shè)計(jì),以及部分NAND Flash Memory （NAND型閃存）在本控制器上的典型應(yīng)用。研究的目的是為了實(shí)現(xiàn)一款控制器芯片,它能夠滿足市場(chǎng)上大部分NAND Flash Memory應(yīng)用要求,并且在性能上超過同類產(chǎn)品。首先,描述了本項(xiàng)目芯片的各個(gè)功能模塊、硬件資源。芯片本身提供了32位寬的數(shù)據(jù)端口以及其他必要控制信號(hào)。為了在性能上獲得優(yōu)勢(shì),設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了最大4片8位和最大2片16位NAND Flash Memory端口并聯(lián)操作,一般控制器都是單片8位或者16位單獨(dú)使用。端口并聯(lián)使控制器訪問大容量慢速NAND Flash Memory方面,尤其是MLC、TLC類型,大大超過同類產(chǎn)品。其次,重點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)了該芯片中NAND Flash控制器的固件結(jié)構(gòu),固件大致分為FTL層（Flash Translation Layer）、MTD層（Memory Technology Device）和驅(qū)動(dòng)層。在驅(qū)動(dòng)和MTD層,設(shè)計(jì)了自動(dòng)偵測(cè)和信息配置相結(jié)合的方式,動(dòng)態(tài)封裝了NAND Flash物理存儲(chǔ)單元在... 

【文章來源】：復(fù)旦大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：55 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

NANDFlashMemory接口示意圖

第二章控制器的硬件實(shí)現(xiàn)第一節(jié)NANDFlashMemory接口描述本課題的目標(biāo)之一是兼容市場(chǎng)上大部分NANDFlash以及類似閃存產(chǎn)品，從大廠商公布的產(chǎn)品Datasheet來看，大多數(shù)的產(chǎn)品引腳定義如圖2.1NANDshMemory接口示意圖所示:

芯片項(xiàng)目結(jié)構(gòu)框圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[4]日志結(jié)構(gòu)的嵌入式文件系統(tǒng)研究[J]. 顧寶根,顧喜梅.  計(jì)算機(jī)工程與設(shè)計(jì). 2004(06)



本文編號(hào)：3451817