基于V93000的異步雙端口靜態(tài)存儲(chǔ)器測(cè)試研究
發(fā)布時(shí)間:2021-10-18 14:21
隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的不斷發(fā)展,處理的信息量越來(lái)越多,對(duì)存儲(chǔ)器的工作速度和容量要求也越來(lái)越高,異步雙端口靜態(tài)存儲(chǔ)器在高速多處理系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用。因此,研究異步雙端口靜態(tài)存儲(chǔ)器測(cè)試具有十分重要意義。該文以IDT公司的IDT70V631S高速256K*18異步雙端口靜態(tài)存儲(chǔ)器器件為例,介紹了異步雙端口靜態(tài)存儲(chǔ)器的基本工作原理,闡述了基于V93000測(cè)試系統(tǒng)的MTP軟件生成測(cè)試向量的方法,從而更高效、簡(jiǎn)便地對(duì)異步雙端口靜態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行評(píng)價(jià)。
【文章來(lái)源】:電子質(zhì)量. 2020,(10)
【文章頁(yè)數(shù)】:7 頁(yè)
【部分圖文】:
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IDT70V631S器件是一款異步雙端口靜態(tài)存儲(chǔ)器器件,它具有兩組相互獨(dú)立的讀寫(xiě)控制線路,實(shí)現(xiàn)了對(duì)內(nèi)存任何地址獨(dú)立的、異步的讀寫(xiě)。IDT70V631S器件由存儲(chǔ)單元和每個(gè)端口獨(dú)立的地址譯碼器、讀寫(xiě)時(shí)序控制電路、仲裁控制電路等組成,并通過(guò)兩條地址線、兩條數(shù)據(jù)線、兩條讀寫(xiě)線、兩條芯片使能線和電源線與外部連接。其中每個(gè)端口都可以有只讀端口、只寫(xiě)端口或讀寫(xiě)端口。存儲(chǔ)單元的端口為雙向讀寫(xiě)端口時(shí),可以同時(shí)對(duì)該存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作、寫(xiě)操作或讀寫(xiě)操作,比單向讀寫(xiě)端口更加復(fù)雜,IDT70V631S功能框圖如圖1所示。1.2 讀寫(xiě)功能工作原理
程序文件采用C_like的MTL程序語(yǔ)言來(lái)編寫(xiě)存儲(chǔ)器測(cè)試的各種測(cè)試向量。如果要實(shí)現(xiàn)全地址的全0碼、全1碼、55AA碼、AA55碼等測(cè)試碼就可以在程序文件中利用for循環(huán)語(yǔ)句、IF判斷語(yǔ)句使相應(yīng)位置置0、置1。程序文件如圖3所示。2.3 器件存取文件(.dvac)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于V93000系統(tǒng)的高速Q(mào)DR SRAM存儲(chǔ)器測(cè)試方法[J]. 王征宇,馬錫春. 電子質(zhì)量. 2019(12)
[2]愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試V93000和T200[J]. 葉雷. 電子產(chǎn)品世界. 2015(10)
[3]SRAM存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試向量分析[J]. 張吉,羅喜明,王軍,唐力,張一波. 電子與封裝. 2015(05)
[4]雙端口靜態(tài)存儲(chǔ)器測(cè)試方法研究[J]. 李盛杰,張碚,顧穎. 計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程. 2015(01)
[5]IC測(cè)試原理-存儲(chǔ)器和邏輯芯片的測(cè)試[J]. 許偉達(dá). 半導(dǎo)體技術(shù). 2006(05)
本文編號(hào):3442952
【文章來(lái)源】:電子質(zhì)量. 2020,(10)
【文章頁(yè)數(shù)】:7 頁(yè)
【部分圖文】:
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IDT70V631S器件是一款異步雙端口靜態(tài)存儲(chǔ)器器件,它具有兩組相互獨(dú)立的讀寫(xiě)控制線路,實(shí)現(xiàn)了對(duì)內(nèi)存任何地址獨(dú)立的、異步的讀寫(xiě)。IDT70V631S器件由存儲(chǔ)單元和每個(gè)端口獨(dú)立的地址譯碼器、讀寫(xiě)時(shí)序控制電路、仲裁控制電路等組成,并通過(guò)兩條地址線、兩條數(shù)據(jù)線、兩條讀寫(xiě)線、兩條芯片使能線和電源線與外部連接。其中每個(gè)端口都可以有只讀端口、只寫(xiě)端口或讀寫(xiě)端口。存儲(chǔ)單元的端口為雙向讀寫(xiě)端口時(shí),可以同時(shí)對(duì)該存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作、寫(xiě)操作或讀寫(xiě)操作,比單向讀寫(xiě)端口更加復(fù)雜,IDT70V631S功能框圖如圖1所示。1.2 讀寫(xiě)功能工作原理
程序文件采用C_like的MTL程序語(yǔ)言來(lái)編寫(xiě)存儲(chǔ)器測(cè)試的各種測(cè)試向量。如果要實(shí)現(xiàn)全地址的全0碼、全1碼、55AA碼、AA55碼等測(cè)試碼就可以在程序文件中利用for循環(huán)語(yǔ)句、IF判斷語(yǔ)句使相應(yīng)位置置0、置1。程序文件如圖3所示。2.3 器件存取文件(.dvac)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于V93000系統(tǒng)的高速Q(mào)DR SRAM存儲(chǔ)器測(cè)試方法[J]. 王征宇,馬錫春. 電子質(zhì)量. 2019(12)
[2]愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試V93000和T200[J]. 葉雷. 電子產(chǎn)品世界. 2015(10)
[3]SRAM存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試向量分析[J]. 張吉,羅喜明,王軍,唐力,張一波. 電子與封裝. 2015(05)
[4]雙端口靜態(tài)存儲(chǔ)器測(cè)試方法研究[J]. 李盛杰,張碚,顧穎. 計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程. 2015(01)
[5]IC測(cè)試原理-存儲(chǔ)器和邏輯芯片的測(cè)試[J]. 許偉達(dá). 半導(dǎo)體技術(shù). 2006(05)
本文編號(hào):3442952
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