建立在磁光克爾效應(yīng)基礎(chǔ)上的磁光存儲技術(shù)兼有磁存儲和光存儲的優(yōu)點。藍(lán)光技術(shù)和超分辨讀出技術(shù)是提高磁光存儲密度的兩個重要手段,為了能進(jìn)一步提高其存儲密度,研究提出將兩者的優(yōu)勢相結(jié)合,以期制備出具有更高存儲密度的藍(lán)光超分辨存儲介質(zhì),這對于磁光存儲技術(shù)的發(fā)展具有重要的意義。本工作采用直流磁控濺射法制備了Pt₃Co/TbFeCo和NdGdFeCo/TbFeCo交換耦合雙層薄膜,利用表面磁光克爾效應(yīng)（SMOKE）系統(tǒng)、振動樣品磁強計（VSM）、Kerr譜儀等儀器測試了薄膜的磁及磁光性能,同時研究了雙層薄膜的藍(lán)光超分辨交換耦合性能。并對單層膜的制備工藝對性能的影響做了深入的研究。通過制備工藝的調(diào)整,得到了平面磁化的Pt₃Co與NdGdFeCo合金薄膜,垂直磁化的TbFeCo非晶合金薄膜。在80W、3.0Pa,基片溫度300℃生長10nm條件下制備得到了Pt₃Co合金薄膜,其特性為:T_c=160℃,H_c=100Oe。在60W、0.8Pa室溫下生長50nm條件下制備得到了Nd₁₂

【文章來源】：上海師范大學(xué)上海市

【文章頁數(shù)】：78 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

磁光存儲信息記錄和擦除的原理示意圖

「「堵 {{{九仰舊會滋點方式圖1一磁光存儲兩種記錄信息的方式磁光存儲信息的讀出則是利用磁光克爾效應(yīng)或者磁光法拉第效應(yīng)來實現(xiàn)的。從唯象性角度說，磁光效應(yīng)是光從具有介電常數(shù)s和磁導(dǎo)率產(chǎn)的鐵磁體透過或反射后，光的偏振狀態(tài)發(fā)生變化的現(xiàn)象。當(dāng)磁化強度矢量垂直于磁性薄膜表面，一束線偏振光入射到磁性薄膜表面后發(fā)生反射，反射光將變成橢圓偏振光，磁化矢量的相異方向會使反射的橢圓偏振方向不同，由于左、右圓偏振光的折射率不同，偏振面會旋轉(zhuǎn)一定的角度+氏或·風(fēng)，此角度正比于磁化強度M，這就是磁光極向克爾效應(yīng)。如圖1一3為磁光克爾效應(yīng)的原理圖。入射偏振面_

及靶源陽極上[97·，011。本工作利用沈科儀公司生產(chǎn)的F幾560D2型三室超高真空磁控與離子束多功能濺射鍍膜設(shè)備(如圖2一1所示)制備所需薄膜。圖2一IF幾560D2型三室超高真空磁控與離子束多功能濺射鍍膜設(shè)備該系統(tǒng)磁控濺射室具備6個靶座，其中，4個直流靶(其中的3個斜靶可以三靶共濺，1個直靶)2個射頻靶(均為直靶)，6個靶可以同時起輝，有兩個強磁直流靶一個為直靶一個為斜靶，另外系統(tǒng)配有送樣系統(tǒng)，因此可以實現(xiàn)在不間斷真空條件下制備出多種或者多層薄膜。直靶靶基間距90們ann，斜靶靶基間距105們nr以。系統(tǒng)采用循環(huán)水冷卻靶材�？尚D(zhuǎn)底盤上可安裝6個基片架(其中之一

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期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3439183