本課題主要針對閃存芯片（NOR）可靠性和低溫擦除失效機理進行分析,通過完成低溫擦除失效產品的實驗數(shù)據(jù)收集分析和處理,可靠性驗證,尋求預防低溫擦除失效和解決方法,提高產品的低溫良品率同時保證出貨的可靠性。文章首先介紹了存儲器可靠性失效測試的相關技術,包括失效時間,機理,目的和種類,以及閃存存儲可靠性失效的分析與驗證。其次分析了閃存低溫擦除失效的原理與失效模式。最后針對對低溫失效原理與模式予以驗證從而制定出相應的預防和糾正措施,并予以可靠性驗證。通過這一系列工作,對于器件的工作原理有了更深層次的理解。 

【文章來源】：蘇州大學江蘇省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：48 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
中文摘要
Abstract
第一章 前言
    1.1 存儲器功能及可靠性測試
    1.2 失效時間和失效機理
    1.3 可靠性試驗的目的和種類
    1.4 主要可靠性試驗介紹
    1.5 閃存可靠性的分析與驗證
        1.5.1 閃存可靠性分析
        1.5.2 閃存可靠性測試
    1.6 本章小結
第二章 擦除失效的分析
    2.1 擦除流程和原理
    2.2 擦除失效分析
    2.3 本章小結
第三章 低溫擦除失效的實驗驗證及改進
    3.1 低溫失效器件的數(shù)據(jù)分析
    3.2 低溫擦除操作失效的改進
    3.3 芯片可靠性驗證
        3.3.1 高溫烘烤實驗(Data Retention Bake)
        3.3.2 室溫（25C）1 萬次連續(xù)擦除實驗(10K cycling@25C)
    3.4 本章小結
第四章 結論
參考文獻
附錄：ERASE 的程序
碩士期間發(fā)表的論文
致謝



本文編號：3416026