格芳烴是一類具有未來潛力的有機納米材料,兼有良好的可溶液加工特性、光電性能和納米特征。發(fā)展其有效調(diào)控電子結(jié)構(gòu)、傳輸特性、激發(fā)態(tài)行為的方法,滿足晶體管存儲器俘獲電荷材料的要求,至關(guān)重要。目前,D-A分子設(shè)計策略是一種可有效調(diào)節(jié)分子能帶寬度,發(fā)光行為和載流子傳輸能力的普適方法。鑒于此,本論文致力于將D-A引入格芳烴分子,聚焦其有機納米合成、結(jié)構(gòu)表征;并將其作為電荷俘獲材料引入到晶體管存儲器,研究其差異性,具體工作如下:一、構(gòu)筑A₁B₁類長橫梁“L”型底物,將具有不同吸電子能力的苯并噻二唑（BT）和苯并三氮唑（BTz）單元由芴9位引入格芳烴分子,通過傅克反應(yīng)高產(chǎn)率制備Grid-BT-2L和Grid-BT-2L分子,產(chǎn)率分別可達62%和65%。發(fā)現(xiàn)Grid-BT-2L相比Grid-BTz-2L的電荷俘獲材料的晶體管存儲器具有更高的載流子遷移率(1.23 cm²V^-1s^-1)和更穩(wěn)定的維持能力(I_ON/I_OFF=1.56×10⁴

【文章來源】：南京郵電大學江蘇省

【文章頁數(shù)】：99 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

常見有的機光電器件

學位論文 儲器的發(fā)展及工作原理管是有機半導(dǎo)體電子器件的基本原件之一，是由電場來。其器件有許多優(yōu)點，如生產(chǎn)成本低、制備工藝簡單、所示），引起國內(nèi)外科研工作者的廣泛關(guān)注；同時，有機性也是其相對無機材料的一個重要優(yōu)點[9]。但有機半導(dǎo)傳遞、光電轉(zhuǎn)換機理及導(dǎo)電機理等還沒有形成公認合理體管材料與器件性能關(guān)系造成了不小的麻煩。

）材料的多樣性、經(jīng)濟的溶液加工技術(shù)提供了有機場效應(yīng)晶體管存儲器最有可能成為下一代件一般是一種三端電子器件，由三個電極，一種移動電荷的電容器。直接接觸半導(dǎo)體層的一觸并且隔絕緣層正對源極和漏極間隙的電極被FET 器件結(jié)構(gòu)可以分為以下四種：底部頂接觸 1.3 為 OFET 器件的四種基本結(jié)構(gòu)。不同的結(jié)構(gòu)中，源/漏電極通過沉積在有機半導(dǎo)體層。而在底電極結(jié)構(gòu)中源/漏電極通過光刻或電從電極注入半導(dǎo)體層與絕緣層界面的導(dǎo)電溝道有機半導(dǎo)體的沉積，容易產(chǎn)生較大的接觸電阻場效應(yīng)晶體管器件都是底柵頂接觸結(jié)構(gòu)，即柵上方。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]有機/聚合物π半導(dǎo)體的四元設(shè)計原理[J]. 解令海,常永正,顧菊芬,孫瑞娟,李杰偉,趙祥華,黃維.  物理化學學報. 2010(07)

博士論文
[1]高度形態(tài)穩(wěn)定和環(huán)境穩(wěn)定的電致發(fā)光材料的設(shè)計、合成與光電性能[D]. 解令海.復(fù)旦大學 2006

碩士論文
[1]含有噻吩或咔唑基元的芴基合成子：格子化、聚格化及其光電性質(zhì)研究[D]. 劉輝.南京郵電大學 2017
[2]苯并噻二唑類給受體型納米格子的設(shè)計、合成及憶阻性能研究[D]. 章楊.南京郵電大學 2017



本文編號：3318815