本文關(guān)鍵詞：DSP內(nèi)嵌存儲(chǔ)器接口電路的設(shè)計(jì)與研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：隨著微電子加工工藝的快速發(fā)展，人們已經(jīng)可以把越來(lái)越多的功能模塊像處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路甚至射頻電路集成在一個(gè)超大規(guī)模的芯片上，形成系統(tǒng)芯片，而在任何一個(gè)系統(tǒng)芯片中，存儲(chǔ)器都是一個(gè)不可缺少的重要組成部分。由于存儲(chǔ)器功能的獨(dú)立性，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中為了縮短設(shè)計(jì)周期往往直接使用IP核，但要設(shè)計(jì)出與系統(tǒng)兼容的接口電路才能使存儲(chǔ)器即發(fā)揮作用又不影響系統(tǒng)的性能，所以關(guān)于存儲(chǔ)器接口電路的設(shè)計(jì)一直是系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的重點(diǎn)和難點(diǎn)。 數(shù)字信號(hào)處理器廣泛應(yīng)用于通信、雷達(dá)、聲納、遙感、生物醫(yī)學(xué)、機(jī)器人、控制、精密機(jī)械、語(yǔ)音和圖像處理等領(lǐng)域，是消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的一種基礎(chǔ)器件。本文以一款國(guó)外DSP芯片為例，詳細(xì)介紹其內(nèi)嵌的存儲(chǔ)器接口電路的設(shè)計(jì)，并將其中的FLASH和DARAM接口電路作為重點(diǎn)研究，，可以為DSP乃至SOC內(nèi)嵌存儲(chǔ)器接口電路的設(shè)計(jì)提供一種參考。 對(duì)于FLASH接口電路的研究，要先建立FLASH模塊的行為模型，將其與DSP核結(jié)合起來(lái)，通過(guò)DSP核執(zhí)行指令對(duì)FLASH進(jìn)行操作，觀察FLASH模塊的信號(hào)變化，從而分析FLASH接口電路的工作原理，研究FLASH各種操作的算法。而DARAM是為了DSP指令集中一些特定的指令而設(shè)計(jì)的特殊的RAM，其特點(diǎn)在于可以在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次讀寫(xiě)操作，進(jìn)行所謂“雙存取”，所以只有在執(zhí)行特定指令的時(shí)候DARAM才能體現(xiàn)其特殊性。除了分析電路功能，最后還將進(jìn)行整體的電路仿真，并將部分電路移植到BCD180工藝下繪制版圖。
【關(guān)鍵詞】：數(shù)字信號(hào)處理器 內(nèi)嵌存儲(chǔ)器 接口電路 FLASH RAM
【學(xué)位授予單位】：沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-9
• 第一章 緒論9-13
• 1.1 研究背景與意義9-10
• 1.2 存儲(chǔ)器概述10-12
• 1.3 本文的主要內(nèi)容12-13
• 第二章 DSP 內(nèi)嵌存儲(chǔ)器介紹13-22
• 2.1 TMS320LF2407A 整體結(jié)構(gòu)13-14
• 2.2 FLASH14-18
• 2.3 RAM18-19
• 2.4 ROM19-22
• 第三章 DSP 芯片的逆向分析過(guò)程22-33
• 3.1 集成電路逆向分析的意義與背景22
• 3.2 TMS320LF2407A 的電路提取22-28
• 3.2.1 識(shí)別器件23-25
• 3.2.2 電路整理25-26
• 3.2.3 總線(xiàn)提取26-27
• 3.2.4 模塊提取27-28
• 3.3 TMS320LF2407A 的電路仿真28-33
• 第四章 FLASH 結(jié)構(gòu)及電路設(shè)計(jì)33-47
• 4.1 設(shè)計(jì)特點(diǎn)33-34
• 4.2 FLASH 操作算法的基本思想34-36
• 4.3 FLASH 模塊36-39
• 4.4 FLASH 算法分析39-41
• 4.4.1 Clear 算法40-41
• 4.4.2 Erase 算法41
• 4.4.3 Program 算法41
• 4.5 FLASH 接口電路41-43
• 4.6 FLASH 加密模塊（CSM）43-47
• 第五章 RAM 結(jié)構(gòu)及電路設(shè)計(jì)47-60
• 5.1 靈敏放大器47-49
• 5.2 DARAM 電路設(shè)計(jì)49-58
• 5.2.1 地址譯碼51
• 5.2.2 控制電路51-55
• 5.2.3 地址選擇55
• 5.2.4 位線(xiàn)選擇與存儲(chǔ)陣列55-58
• 5.3 SARAM 電路設(shè)計(jì)58-60
• 第六章 ROM 結(jié)構(gòu)及電路設(shè)計(jì)60-63
• 第七章 版圖設(shè)計(jì)63-68
• 7.1 6 管 SRAM 單元63-64
• 7.2 RAM 陣列64-68
• 第八章 電路仿真68-72
• 8.1 FLASH 仿真驗(yàn)證68-70
• 8.2 RAM 仿真驗(yàn)證70-72
• 8.2.1 SARAM70-71
• 8.2.2 DARAM71-72
• 第九章 結(jié)論72-73
• 參考文獻(xiàn)73-75
• 在學(xué)研究成果75-76
• 致謝76

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前7條

1 廖專(zhuān)崇 ,黃俊義;存儲(chǔ)技術(shù)的現(xiàn)狀與未來(lái)[J];電子產(chǎn)品世界;2004年Z1期

2 辛?xí)詫?李寧家;;數(shù)�；旌戏抡婀ぞ逜dvance MS使用方法介紹[J];才智;2012年32期

3 張慧熙,沈繼忠,顧曉燕;基于多閾值技術(shù)的低功耗D觸發(fā)器設(shè)計(jì)[J];浙江大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版);2005年02期

4 潘立陽(yáng),朱鈞;Flash存儲(chǔ)器技術(shù)與發(fā)展[J];微電子學(xué);2002年01期

5 孟雷;李俊強(qiáng);;嵌入式系統(tǒng)flash接口電路的實(shí)現(xiàn)[J];微計(jì)算機(jī)信息;2008年20期

6 鄭曰;李斌;黃裕泉;;一種快速、低壓的電流靈敏放大器的設(shè)計(jì)[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);2006年06期

7 胡麟,邵志標(biāo);嵌入式高速低功耗ROM設(shè)計(jì)研究[J];西安交通大學(xué)學(xué)報(bào);2004年12期

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 周清軍;嵌入式SRAM的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法與測(cè)試技術(shù)研究[D];西安電子科技大學(xué);2009年

  本文關(guān)鍵詞：DSP內(nèi)嵌存儲(chǔ)器接口電路的設(shè)計(jì)與研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：331068