高速接口GTL Buffer研究與設(shè)計
發(fā)布時間:2021-06-23 03:50
GTL(射集收發(fā)器邏輯)接口制約著微處理器性能的發(fā)揮,是微處理器重要組成部分。全定制方法設(shè)計的GTL接口速度快、可靠性高、兼容性好,具有開創(chuàng)性意義和廣泛的應(yīng)用價值。本文研究了高性能GTL接口的全定制設(shè)計方法。文章從原理、邏輯結(jié)構(gòu)、電路參數(shù)、物理版圖等多個層次進行設(shè)計優(yōu)化,在0.18μm CMOS工藝下實現(xiàn)了一款高性能GTL接口,并對高速接口的封裝和測試方法進行研究,流片后實測結(jié)果顯示:該接口頻率可達600MHz。論文研究成果包括以下幾點:1、熟練掌握GTL接口技術(shù)理論,為高速接口理論研究奠定堅實的基礎(chǔ)。2、針對GTL輸入接口工作模式特點,提出兩級放大器方法實現(xiàn)輸入接口,實際測量顯示:此方法設(shè)計的輸入接口具有較高的頻率和分辨率。3、針對傳統(tǒng)模式不能實現(xiàn)高性能輸出接口的缺點,獨創(chuàng)性提出輔助充電方法,應(yīng)用此方法設(shè)計的GTL輸出接口的性能處于國際先進水平。4、為提高GTL接口可靠性,充分模擬工藝、電壓和溫度對性能的影響,模擬結(jié)果顯示:設(shè)計的GTL接口具有較好的抗PVT特性。5、針對GTL接口芯片具有較高頻率的特點,提出用COB封裝減小封裝對高頻信號的影響,實測結(jié)果顯示:此類封裝滿足設(shè)計要求。6...
【文章來源】:國防科技大學(xué)湖南省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:73 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
GTL噪聲根據(jù)GTL標準中電平的要求,參照所推
國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究生院工程碩士學(xué)位論文(BC:最好情況;NC:正常情況;WC:最壞情況)工作情況如表3.3所示,,需要對各種工作條件進行模擬。對最慢的操作或者最長的延遲選用WC工式進行分析;正常操作選用NC工作模式進行分析;對最快的操作或者最大的聲選用B(二工作模式進行分析。表3.3輸入模擬PVT設(shè)置工工工藝偏差差內(nèi)核電源源接口電源源溫度度BBBCCCFFFF1.98VVV3.6VVV0℃℃NNNCCC盯盯1.SVVV30VVV25℃℃WWWCCCSSSS1.62VVV2.7VVV85.CCC在輸入為最好情況下,即輸入電壓在0.4V一1.2V之間跳變,上升和下降時10ops,周期為1.66ns,負載為2的卯條件下進行模擬驗證。在NC條件下電路模擬結(jié)果如圖3.10所示:i幻tl,t.
周期為1.66ns,負載為2的卯條件下進行模擬驗證。在NC條件下電路模擬結(jié)果如圖3.10所示:匡霆i幻tl,t.一一?一釋丁一一一一萬萬勸勸勸,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,令一i-’一一一一一一一一一一一一一一一一獷獷獷一一}{{{{‘腳龜龜龜{)))))))))))))lllllllll蘭子!!!!!!!!!!!!!!!!!.........……………………….........::;;;;;;;;;;;;;;;;;lllllllll籠三生生生生生生生生生,,,,,心少.................一一一一{{{{{{{{{{{{{{{{{{{日---JJJ){{{l王王王王王IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII…4:::}三--------------------------lllllllllllllllllllllllllllll一口口注注注注注”””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””·己己一!!!奢一{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{}}}}}}}}}}}}}}}…〕一一{{{獷節(jié)節(jié).!!!!!r---!!!!!{一!!!汗飛一一一{{{lll公公公公{{{{{石石石石石石石石石石IIIIIII叮叮叮叮叮{皿三三三...llll一{{{{{{{{{{{lllllllllllllllllll1111111lllllllll:I三三三IIIII蓄蓄蓄蓄蓄蓄.....................................一一!!!!![’一一一一一一lllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllll「「「「「「「「「「「「「「「「州州州州州州州l。。!一l一{{{}蘭蘭一一護護111卜~~~~~:1一一:11111謐謐謐謐謐i{{{.....lllllllllllllllll三三}}}...llllllll翎少少奮月月月lllllllll
【參考文獻】:
博士論文
[1]高速數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)接口電路的研究[D]. 覃正才.復(fù)旦大學(xué) 2003
本文編號:3244168
【文章來源】:國防科技大學(xué)湖南省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:73 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
GTL噪聲根據(jù)GTL標準中電平的要求,參照所推
國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究生院工程碩士學(xué)位論文(BC:最好情況;NC:正常情況;WC:最壞情況)工作情況如表3.3所示,,需要對各種工作條件進行模擬。對最慢的操作或者最長的延遲選用WC工式進行分析;正常操作選用NC工作模式進行分析;對最快的操作或者最大的聲選用B(二工作模式進行分析。表3.3輸入模擬PVT設(shè)置工工工藝偏差差內(nèi)核電源源接口電源源溫度度BBBCCCFFFF1.98VVV3.6VVV0℃℃NNNCCC盯盯1.SVVV30VVV25℃℃WWWCCCSSSS1.62VVV2.7VVV85.CCC在輸入為最好情況下,即輸入電壓在0.4V一1.2V之間跳變,上升和下降時10ops,周期為1.66ns,負載為2的卯條件下進行模擬驗證。在NC條件下電路模擬結(jié)果如圖3.10所示:i幻tl,t.
周期為1.66ns,負載為2的卯條件下進行模擬驗證。在NC條件下電路模擬結(jié)果如圖3.10所示:匡霆i幻tl,t.一一?一釋丁一一一一萬萬勸勸勸,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,令一i-’一一一一一一一一一一一一一一一一獷獷獷一一}{{{{‘腳龜龜龜{)))))))))))))lllllllll蘭子!!!!!!!!!!!!!!!!!.........……………………….........::;;;;;;;;;;;;;;;;;lllllllll籠三生生生生生生生生生,,,,,心少.................一一一一{{{{{{{{{{{{{{{{{{{日---JJJ){{{l王王王王王IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII…4:::}三--------------------------lllllllllllllllllllllllllllll一口口注注注注注”””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””””·己己一!!!奢一{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{}}}}}}}}}}}}}}}…〕一一{{{獷節(jié)節(jié).!!!!!r---!!!!!{一!!!汗飛一一一{{{lll公公公公{{{{{石石石石石石石石石石IIIIIII叮叮叮叮叮{皿三三三...llll一{{{{{{{{{{{lllllllllllllllllll1111111lllllllll:I三三三IIIII蓄蓄蓄蓄蓄蓄.....................................一一!!!!![’一一一一一一lllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllllll「「「「「「「「「「「「「「「「州州州州州州州l。。!一l一{{{}蘭蘭一一護護111卜~~~~~:1一一:11111謐謐謐謐謐i{{{.....lllllllllllllllll三三}}}...llllllll翎少少奮月月月lllllllll
【參考文獻】:
博士論文
[1]高速數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)接口電路的研究[D]. 覃正才.復(fù)旦大學(xué) 2003
本文編號:3244168
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