憶阻器（Memristor）是指通過施加電壓電流信號實現(xiàn)電阻可控轉(zhuǎn)變的器件,具備存儲計算功能。在存儲器應用方向,憶阻器的一種重點應用是阻變存儲器（resistance random access memory,RRAM）。阻變存儲器有著非易失特性,擁有速度較快,集成度較高,結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)勢,具備開啟下個存儲器時代的潛力。然而在實用化當中,阻變存儲器存在著可靠性不足的問題,即打開與關(guān)閉（Set和Reset）時的電壓離散性大,分布不統(tǒng)一,因此尋求新材料,新結(jié)構(gòu)來提高器件可靠性是我們目前的主要方向。此外,在神經(jīng)仿生方向,如何真實的模擬神經(jīng)突觸性能還有待提高。針對上述阻變存儲器性能的提升以及電子人工突觸領(lǐng)域的研究需要,本課題的主要研究內(nèi)容如下:一.將二維二硫化鎢（WS₂）納米片層插到傳統(tǒng)的阻變介質(zhì)層氧化鋯（ZrO₂）之下以構(gòu)建Ag/ZrO₂/WS₂/Pt結(jié)構(gòu)的阻變存儲器。在直流電壓的掃描作用下,Ag/ZrO₂/WS₂/Pt器件呈現(xiàn)出雙極性電阻轉(zhuǎn)變可逆行為。與兩種單層... 

【文章來源】：河北大學河北省

【文章頁數(shù)】：75 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

存儲器分類圖

阻變隨機存儲器結(jié)構(gòu)示意圖

電阻轉(zhuǎn)變機制分類圖

【參考文獻】：
期刊論文
[1]阻變存儲器無源高密度交叉陣列研究進展[J]. 李曉燕,李穎弢,高曉平,陳傳兵,韓根亮.  科學通報. 2018(Z2)
[2]基于憶阻器的脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)研究綜述[J]. 徐桂芝,姚林靜,李子康.  生物醫(yī)學工程學雜志. 2018(03)
[3]憶阻器的發(fā)展現(xiàn)狀與未來[J]. 李清江,劉海軍,徐暉.  國防科技. 2016(06)
[4]相變存儲器材料研究[J]. 吳良才,宋志棠,周夕淋,饒峰,封松林.  中國科學:物理學 力學 天文學. 2016(10)
[5]阻變存儲器研究進展[J]. 龍世兵,劉琦,呂杭炳,劉明.  中國科學:物理學 力學 天文學. 2016(10)
[6]氧化物憶阻器材料及其阻變機理研究進展[J]. 殷一民,程海峰,劉東青,張朝陽.  電子元件與材料. 2016(09)
[7]憶阻器在神經(jīng)突觸仿生中的應用研究進展[J]. 張超超,尚杰,郝健,張文斌,冀正輝,劉鋼,李潤偉.  材料導報. 2015(15)
[8]幾種新型非易失存儲器的原理及發(fā)展趨勢[J]. 蔣明曦,劉春巖.  微處理機. 2014(02)
[9]抗輻射鐵電存儲器的研究進展[J]. 翟亞紅,李威,李平,胡濱,霍偉榮,李俊宏,辜科.  材料導報. 2012(23)
[10]鐵電薄膜及其在存儲器件中的應用研究現(xiàn)狀[J]. 李惠琴,劉敬松.  材料導報. 2009(S1)

博士論文
[1]基于二元金屬氧化物的阻變存儲器研究[D]. 王艷.蘭州大學 2012

碩士論文
[1]基于石墨烯氧化物量子點的阻變存儲及神經(jīng)突觸仿生器件研究[D]. 張磊.河北大學 2019
[2]基于雞蛋蛋白薄膜為功能層的憶阻器特性與物理機制研究[D]. 李小燕.河北大學 2019
[3]基于ZnO/ZnS憶阻器神經(jīng)突觸仿生器件研究[D]. 胡令祥.上海大學 2017
[4]基于Ba0.6Sr0.4TiO3和Zr0.5Hf0.5O2薄膜的存儲特性研究[D]. 李玉成.河北大學 2016
[5]氧化物阻變存儲器材料中電阻轉(zhuǎn)變與電場對磁性的調(diào)控[D]. 裴金亮.山東大學 2016
[6]憶阻器件及其應用[D]. 賈旺旺.電子科技大學 2016
[7]阻變存儲器阻變機理及物理模型研究[D]. 孫鵬霄.蘭州大學 2015



本文編號：3243399