本文關(guān)鍵詞：有機(jī)場效應(yīng)晶體管與交叉點(diǎn)存儲器研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：近年來,有機(jī)電子學(xué)作為一門發(fā)展迅速,多學(xué)科交叉的新興研究領(lǐng)域,已經(jīng)提出多種電子器件,并且性能不斷提高,具有廣闊的應(yīng)用前景。其中,有機(jī)場效應(yīng)晶體管制備簡單,材料來源廣,性能易調(diào)制,柔性良好,應(yīng)用范圍廣泛。交叉結(jié)構(gòu)的有機(jī)存儲設(shè)備工藝流程少,易于集成,有效改善器件工作效率,對于下一代高密度的數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用有極大的潛力。本論文圍繞這兩類器件的制備和性能研究展開工作。有機(jī)晶體是制備高性能電子器件的理想材料,而溶液相方法因其有助于實(shí)現(xiàn)低成本、大面積器件而受到廣泛關(guān)注。有機(jī)晶體的分子有序度較高,可以大幅度減少功能層中的晶界和缺陷,從而提高電荷載流子的傳輸能力,獲得更好的器件性能。C8-BTBT作為新興的P型半導(dǎo)體材料,因其高遷移率廣泛用于多種電子器件中。本文我們使用市場上可購買到的走珠筆,作為一種新穎便捷的沉積溶液相C8-BTBT有機(jī)晶體的方法。通過筆寫方式沉積得到的C8-BTBT有機(jī)晶體尺寸達(dá)到幾百微米,并且制備出的有機(jī)場效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了良好的器件性能,遷移率μFET達(dá)到0.7 cm2/Vs,開關(guān)比高達(dá)107。同時(shí)我們也通過模擬結(jié)果顯示了溶液從筆管到襯底過程中的流動(dòng)特性對有機(jī)晶體沉積起到了促進(jìn)作用,表明其良好的應(yīng)用潛力。存儲器的電學(xué)轉(zhuǎn)換性能是電信息存儲介質(zhì)的一個(gè)主要指標(biāo),然而表面介質(zhì)鈍化層的不同材料厚度也會(huì)對存儲器的性能產(chǎn)生重要的影響。本文提出一個(gè)用N型有機(jī)半導(dǎo)體材料制備的擁有自組裝分子層的交叉點(diǎn)存儲器。這個(gè)交叉結(jié)構(gòu)通過有機(jī)/自主裝分子界面上的電荷捕獲來表現(xiàn)出電學(xué)轉(zhuǎn)換特性。我們發(fā)現(xiàn)這樣的電學(xué)轉(zhuǎn)換會(huì)受到LiF鈍化層厚度的影響,展現(xiàn)出不同的電學(xué)特性,體現(xiàn)在開關(guān)比,穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換過程的可重復(fù)性上。研究表面,LiF層的分子形貌隨著厚度發(fā)生變化,因此影響了接下來有機(jī)材料的沉積,最終導(dǎo)致有機(jī)／自主裝分子界面上產(chǎn)生不同的電荷捕獲特性。綜上,我們提出了一個(gè)新穎便捷的利用筆寫裝置沉積溶液相有機(jī)晶體的方法,并得到了具有良好性能的有機(jī)場效應(yīng)晶體管；通過研究不同厚度LiF層對交叉點(diǎn)存儲器的電學(xué)轉(zhuǎn)換特性的影響,分析出其中的工作機(jī)制。以上工作對進(jìn)一步研究探索更高性能、低成本的有機(jī)電子器件有重要意義。
【關(guān)鍵詞】：有機(jī)半導(dǎo)體 OFET 交叉點(diǎn)結(jié)構(gòu) 遷移率 電學(xué)轉(zhuǎn)換性能
【學(xué)位授予單位】：南京大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TN386;TP333
【目錄】：

• 摘要3-5
• Abstract5-9
• 第一章 緒論9-27
• 1.1 有機(jī)電子學(xué)的發(fā)展9-11
• 1.2 有機(jī)半導(dǎo)體材料11-14
• 1.2.1 有機(jī)半導(dǎo)體材料簡介11-12
• 1.2.2 有機(jī)半導(dǎo)體材料的制備方法12-13
• 1.2.3 溶液相沉積有機(jī)半導(dǎo)體材料晶體機(jī)理13-14
• 1.3 有機(jī)半導(dǎo)體器件介紹14-22
• 1.3.1 有機(jī)場效應(yīng)晶體管介紹14-17
• 1.3.2 有機(jī)存儲器簡介17-18
• 1.3.3 有機(jī)太陽能電池介紹18-19
• 1.3.4 有機(jī)發(fā)光二極管介紹19-22
• 1.4 論文主要內(nèi)容22-24
• 參考文獻(xiàn)24-27
• 第二章 筆寫制備溶液相有機(jī)場效應(yīng)晶體管27-38
• 2.1 前言27
• 2.2 實(shí)驗(yàn)部分27-28
• 2.2.1 有機(jī)晶體生長27-28
• 2.2.2 場效應(yīng)晶體管制備方法28
• 2.2.3 場效應(yīng)晶體管基本電學(xué)測試28
• 2.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論28-34
• 2.3.1 筆寫裝置沉積的晶體結(jié)構(gòu)28-32
• 2.3.2 電學(xué)性能分析32-34
• 2.4 本章小結(jié)34-35
• 參考文獻(xiàn)35-38
• 第三章 氟化鋰(LiF)厚度對于交叉點(diǎn)存儲器性能的影響38-48
• 3.1 前言38-39
• 3.2 實(shí)驗(yàn)部分39-40
• 3.2.1 交叉點(diǎn)存儲器制備39-40
• 3.2.2 不同厚度的LiF層的器件電學(xué)轉(zhuǎn)換性能測試40
• 3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析40-44
• 3.3.1 LiF厚度對器件電學(xué)轉(zhuǎn)換性能的影響40-41
• 3.3.2 工作機(jī)制分析41-44
• 3.4 本章小結(jié)44-45
• 參考文獻(xiàn)45-48
• 第四章 總結(jié)與展望48-50
• 4.1 總結(jié)48-49
• 4.2 展望49-50
• 附錄 攻讀碩士學(xué)位期間的學(xué)術(shù)成果和參與項(xiàng)目等50-51
• 致謝51-52

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 張劍;楊秀程;馮曉東;;有機(jī)太陽能電池結(jié)構(gòu)研究進(jìn)展[J];電子元件與材料;2012年11期

2 黎立桂;魯廣昊;楊小牛;周恩樂;;聚合物太陽能電池研究進(jìn)展[J];科學(xué)通報(bào);2006年21期

  本文關(guān)鍵詞：有機(jī)場效應(yīng)晶體管與交叉點(diǎn)存儲器研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號：319876