相變存儲材料的研究現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢
發(fā)布時間:2021-05-13 20:44
作為一種新型存儲技術(shù),相變存儲技術(shù)表現(xiàn)出非易失性、讀寫速度快、使用壽命長以及與現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)兼容性好等優(yōu)點,自進(jìn)入人們視野以來,便引起了眾多研究者的關(guān)注,尤其在近10年發(fā)展飛速。學(xué)者們也在不斷探索相變存儲材料的相變原理,目前已有的如傘狀跳躍理論、多元環(huán)理論、共振鍵理論等可從一定角度解釋相變存儲材料的相變機理。此外,研究者們還建立了理論模型,這將極有利于新型相變存儲材料的開發(fā)。相變存儲材料存在結(jié)晶速度慢、結(jié)晶溫度低、熱穩(wěn)定性差以及操作電壓高等缺點,目前常用的改性方法為在原材料基礎(chǔ)上通過摻雜非金屬元素或金屬元素,使其結(jié)晶速度、電阻率、熱穩(wěn)定性、晶粒尺寸、操作電壓以及使用壽命等得到優(yōu)化。如近幾年開發(fā)的Ti-Sb-Te及Sc-Sb-Te新型相變存儲材料,其在結(jié)晶溫度、結(jié)晶速度以及熱穩(wěn)定性等多個方面的性能均有所提升,有望成為相變存儲器的候選材料。目前,相變存儲材料的制備方法主要有磁控濺射法,該方法沉積速度快,且制得的薄膜純度高。然而,學(xué)者們目前尚未對相變存儲材料的相變機理形成統(tǒng)一定論,相變存儲材料性能較差,無法滿足產(chǎn)業(yè)化要求,仍需進(jìn)行深入研究。本文圍繞相變存儲材料的發(fā)展,綜述了相變存儲材料的相變...
【文章來源】:材料導(dǎo)報. 2020,34(21)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:6 頁
【文章目錄】:
0 引言
1 相變存儲器的工作原理
2 相變存儲材料的結(jié)構(gòu)及相變機理
3 相變存儲材料的摻雜
4 相變存儲材料的制備與表征
5 相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程
6 結(jié)語與展望
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]From octahedral structure motif to sub-nanosecond phase transitions in phase change materials for data storage[J]. Zhitang SONG,Sannian SONG,Min ZHU,Liangcai WU,Kun REN,Wenxiong SONG,Songling FENG. Science China(Information Sciences). 2018(08)
[2]相變存儲器失效機理的研究進(jìn)展[J]. 高丹,劉波. 物理. 2018(03)
[3]相變存儲器材料研究[J]. 吳良才,宋志棠,周夕淋,饒峰,封松林. 中國科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué). 2016(10)
[4]相變存儲器材料的研究進(jìn)展和應(yīng)用前景[J]. 尹琦璕,陳冷. 新材料產(chǎn)業(yè). 2016(07)
[5]納米尺度相變存儲器小型化研究進(jìn)展[J]. 周亞玲,付英春,王曉峰,王曉東,楊富華. 微納電子技術(shù). 2015(12)
[6]Cu對用于高速相變存儲器的Sb2Te薄膜的結(jié)構(gòu)及相變的影響研究[J]. 王東明,呂業(yè)剛,宋三年,王苗,沈祥,王國祥,戴世勛,宋志棠. 物理學(xué)報. 2015(15)
[7]A Phase Change Memory Chip Based on Ti Sb Te Alloy in 40-nm Standard CMOS Technology[J]. Zhitang Song,Yi Peng Zhan,Daolin Cai,Bo Liu,Yifeng Chen,Jiadong Ren. Nano-Micro Letters. 2015(02)
[8]相變存儲器及其發(fā)展[J]. 宋志棠,成巖. 功能材料信息. 2014(05)
[9]ITO薄膜方塊電阻測試方法的探討[J]. 關(guān)自強. 真空. 2014(03)
[10]Ag摻雜對Ge2Sb2Te5結(jié)晶行為的影響[J]. 張?zhí)?鄭坤,張斌,邵瑞文,韓曉東,張澤. 電子顯微學(xué)報. 2014(01)
博士論文
[1]硫系相變存儲材料SbTe/GeSbTe的光電性質(zhì)及其基于C-AFM的存儲機理研究[D]. 楊菲.南京大學(xué) 2013
[2]硫系化合物隨機存儲器關(guān)鍵相變材料與器件單元工藝研究[D]. 劉波.中國科學(xué)院研究生院(上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所) 2004
碩士論文
[1]應(yīng)用于低功耗相變存儲器的Sb-Se基納米材料的制備及性能研究[D]. 馬亞東.寧波大學(xué) 2017
本文編號:3184677
【文章來源】:材料導(dǎo)報. 2020,34(21)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:6 頁
【文章目錄】:
0 引言
1 相變存儲器的工作原理
2 相變存儲材料的結(jié)構(gòu)及相變機理
3 相變存儲材料的摻雜
4 相變存儲材料的制備與表征
5 相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程
6 結(jié)語與展望
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]From octahedral structure motif to sub-nanosecond phase transitions in phase change materials for data storage[J]. Zhitang SONG,Sannian SONG,Min ZHU,Liangcai WU,Kun REN,Wenxiong SONG,Songling FENG. Science China(Information Sciences). 2018(08)
[2]相變存儲器失效機理的研究進(jìn)展[J]. 高丹,劉波. 物理. 2018(03)
[3]相變存儲器材料研究[J]. 吳良才,宋志棠,周夕淋,饒峰,封松林. 中國科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué). 2016(10)
[4]相變存儲器材料的研究進(jìn)展和應(yīng)用前景[J]. 尹琦璕,陳冷. 新材料產(chǎn)業(yè). 2016(07)
[5]納米尺度相變存儲器小型化研究進(jìn)展[J]. 周亞玲,付英春,王曉峰,王曉東,楊富華. 微納電子技術(shù). 2015(12)
[6]Cu對用于高速相變存儲器的Sb2Te薄膜的結(jié)構(gòu)及相變的影響研究[J]. 王東明,呂業(yè)剛,宋三年,王苗,沈祥,王國祥,戴世勛,宋志棠. 物理學(xué)報. 2015(15)
[7]A Phase Change Memory Chip Based on Ti Sb Te Alloy in 40-nm Standard CMOS Technology[J]. Zhitang Song,Yi Peng Zhan,Daolin Cai,Bo Liu,Yifeng Chen,Jiadong Ren. Nano-Micro Letters. 2015(02)
[8]相變存儲器及其發(fā)展[J]. 宋志棠,成巖. 功能材料信息. 2014(05)
[9]ITO薄膜方塊電阻測試方法的探討[J]. 關(guān)自強. 真空. 2014(03)
[10]Ag摻雜對Ge2Sb2Te5結(jié)晶行為的影響[J]. 張?zhí)?鄭坤,張斌,邵瑞文,韓曉東,張澤. 電子顯微學(xué)報. 2014(01)
博士論文
[1]硫系相變存儲材料SbTe/GeSbTe的光電性質(zhì)及其基于C-AFM的存儲機理研究[D]. 楊菲.南京大學(xué) 2013
[2]硫系化合物隨機存儲器關(guān)鍵相變材料與器件單元工藝研究[D]. 劉波.中國科學(xué)院研究生院(上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所) 2004
碩士論文
[1]應(yīng)用于低功耗相變存儲器的Sb-Se基納米材料的制備及性能研究[D]. 馬亞東.寧波大學(xué) 2017
本文編號:3184677
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/jisuanjikexuelunwen/3184677.html
最近更新
教材專著