隨著人工智能、大數(shù)據(jù)等新技術(shù)的興起,以及傳統(tǒng)Flash存儲器高密度集成面臨的技術(shù)瓶頸,對新型非易失性存儲器的研究顯得尤為重要。另一方面,透明電子產(chǎn)品越來越受到市場的青睞,因此新型透明電子器件也吸引了許多研究者的目光。阻變存儲器（Resistive Random Access Memory,RRAM）因具有微縮性好、數(shù)據(jù)擦寫速度快、功耗低等諸多優(yōu)點,使得阻變存儲器在眾多新型非易失性存儲器中最具潛力,而在可見光波段具有高透光性的透明阻變存儲也成為一個新的研究領(lǐng)域。材料的選取對阻變存儲器的性能有重要影響,本文采用ITO電極材料和ZnO阻變層材料,并將具有高k的過渡金屬氧化物HfO_x作為插入層,研究了基于Zn O基透明阻變存儲器件的構(gòu)建與性能分析。首先對氧化銦錫電極的制備工藝進(jìn)行了優(yōu)化,獲得高透光性和導(dǎo)電性能良好的ITO薄膜,其次探究了Zn O薄膜生長工藝對單層ZnO透明阻變存儲器性能的影響,并對其在光照環(huán)境下器件性能影響進(jìn)行了探究。最后對ZnO-HfO_x疊層結(jié)構(gòu)低功耗透明阻變存儲器件進(jìn)行了研究,通過測試分析疊層HfO_x厚度對阻... 

【文章來源】：天津理工大學(xué)天津市

【文章頁數(shù)】：54 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 透明電子學(xué)
    1.3 透明阻變存儲器
        1.3.1 阻變存儲器
        1.3.2 透明阻變存儲器的材料
        1.3.3 透明阻變存儲器的性能指標(biāo)
        1.3.4 透明阻變存儲器的阻變機理
    1.4 透明阻變存儲器的研究現(xiàn)狀
    1.5 本文研究的主要內(nèi)容
第二章 器件的制備及性能表征
    2.1 器件制備
        2.1.1 阻變功能層的沉積
        2.1.2 電極的制備
    2.2 薄膜性能表征
        2.2.1 厚度表征—臺階儀
        2.2.2 結(jié)晶取向表征—XRD
        2.2.3 表面形貌表征—原子力顯微鏡
        2.2.4 透過率測試—紫外-可見光分光光度計
        2.2.5 電阻率測量—四探針
    2.3 器件電學(xué)特性測試
第三章 單層ZnO透明阻變器件的制備與特性研究
    3.1 ITO電極的優(yōu)化
        3.1.1 濺射功率對薄膜性能的影響
        3.1.2 濺射壓強對薄膜性能的影響
    3.2 ZnO薄膜生長工藝對器件性能的影響
        3.2.1 氧分壓對器件性能的影響
        3.2.2 襯底溫度對器件性能的影響
        3.2.3 濺射功率對器件性能的影響
    3.3 光照對器件性能的影響
    3.4 單層ZnO透明器件阻變機理分析
    3.5 本章小結(jié)
第四章 疊層ZnO透明阻變器件的制備與特性研究
    4.1 疊層ZnO透明阻變存儲器件的制備與性能測試
        4.1.1 ZnO-HfO_x疊層阻變存儲器件的構(gòu)建
        4.1.2 HfO_x厚度對ITO/HfO_x/ZnO/ITO疊層阻變存儲器件的影響
        4.1.3 不同ZnO-HfO_x疊層結(jié)構(gòu)阻變存儲器件的性能研究
    4.2 疊層ZnO結(jié)構(gòu)阻變機理分析
    4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
發(fā)表論文和科研情況說明
致謝



本文編號：3180471