海量的信息計算、存儲、傳輸及應用正成為21世紀信息電子技術發(fā)展的鮮明特征。傳統(tǒng)硅基存儲技術已經(jīng)達到了7 nm尺寸的技術節(jié)點并且即將達到其性能的極限。隨著器件物理尺寸的減小,由于量子隧道效應和來自附近存儲器單元的串擾導致器件性能降低和處理成本高昂,而可延展有機半導體材料被認為是最有希望媲美無機材料成為一個新的電子產品形式的應用方向。而基于有機非易失性場效應晶體管存儲器由于易于與邏輯電路集成、非破壞性讀取、可與柔性基底集成等優(yōu)勢對于開發(fā)新型存儲器成為一種可行的方案。而海量的數(shù)據(jù)信息處理和存儲要求開發(fā)大容量、高速、高密度的OFET存儲器,科研工作者致力于開發(fā)大容量、高性能有機場效應晶體管存儲器,但是器件的存儲容量和存儲穩(wěn)定性有待提高以滿足高速準確尋址。有機小分子半導體材料由于分子明確、結構簡單易于提純、分子導電類型可以定向設計等優(yōu)點而備受關注。本論文將從以下幾個方面開展研究:（1）電荷存儲層材料的篩選;（2）存儲界面的調控;（3）器件制備工藝的優(yōu)化。該研究成果對于實現(xiàn)大容量、高性能有機納晶場效應晶體管存儲器提供了一種新的解決方案。主要研究內容如下:1、本文首先篩選出一系列具有優(yōu)良溶解性和成膜... 

【文章來源】：南京郵電大學江蘇省

【文章頁數(shù)】：94 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
專用術語注釋表
第一章 緒論
    1.1 引言
        1.1.1 有機光電子學的發(fā)展概述
        1.1.2 半導體存儲器件
    1.2 小分子的有機場效應晶體管的簡介
        1.2.1 小分子的有機場效應晶體管的材料的分類
        1.2.2 小分子的有機場效應晶體管的器件結構和工作原理
    1.3 二元混合物相分離的有機場效應晶體管
        1.3.1 相分離的有機場效應晶體管簡介
        1.3.2 二元混合物垂直相分離的有機場效應晶體管的結構和特點
    1.4 有機場效應晶體管存儲器的簡介
        1.4.1 有機場效應晶體管存儲器的結構分類及特點
        1.4.2 有機場效應晶體管存儲器的工作原理與性能參數(shù)
        1.4.3 有機場效應晶體管存儲器制備、表征和測試
    1.5 本論文研究意義和挑戰(zhàn)及設計思路
        1.5.1 本論文的研究意義和遇到的挑戰(zhàn)
        1.5.2 本研究論文的設計思路
第二章 基于側鏈基團效應對器件存儲性能影響的研究
    2.1 引言
    2.2 實驗部分
        2.2.1 實驗材料
        2.2.2 器件的制備
        2.2.3 器件的表征方法
    2.3 基于TPP-OCH3作為電荷捕獲層的OFET存儲器
        2.3.1 TPP-OCH3作為電荷捕獲層的OFET存儲器的器件制備
        2.3.2 TPP-OCH3作為電荷捕獲層的OFET存儲器的電學性能
    2.4 基于TPP-CH作為電荷捕獲層的OFET存儲器
        2.4.1 TPP-CH3作為電荷捕獲層的OFET存儲器的器件制備
        2.4.2 TPP-CH3作為電荷捕獲層的OFET存儲器的電學性能
    2.5 基于TPP-H作為電荷捕獲層的OFET存儲器
        2.5.1 TPP-H作為電荷捕獲層的OFET存儲器的器件制備
        2.5.2 TPP-H作為電荷捕獲層的OFET存儲器的電學性能
    2.6 側鏈基團效應機制的研究
    2.7 本章小結
第三章 基于納米限域效應對器件性能影響的研究
    3.1 引言
    3.2 實驗部分
        3.2.1 實驗材料及器件結構
        3.2.2 小分子/彈性體二元混合物相分離電介體的制備
        3.2.3 器件的制備
        3.2.4 器件的表征與分析方法
    3.3 絕緣聚合物納米限域效應對OFET存儲性能的影響
        3.3.1 不同的摻雜比例對存儲性能的影響
        3.3.2 相分離納米結構陣列的表征
        3.3.3 相分離工藝的普適性的研究
        3.3.4 相分離納米陣列存儲機制的研究
    3.4 本章小結
第四章 基于P/N型摻雜有機場效應晶體管存儲器的研究
    4.1 引言
    4.2 實驗部分
        4.2.1 實驗材料
        4.2.2 器件的表征方法
    4.3 基于雙組分摻雜的OFET有機場效應晶體管存儲器
        4.3.1 器件的制備
        4.3.2 摻雜比例對器件的存儲性能的影響
    4.4 基于三組分摻雜的OFET有機場效應晶體管存儲器
        4.4.1 器件的制備
        4.4.2 摻雜比例對器件的存儲性能的影響
        4.4.3 電荷存儲機制的分析
    4.5 本章小結
第五章 總結與展望
參考文獻
附錄1 補充數(shù)據(jù)
附錄2 攻讀碩士學位期間撰寫的論文
附錄3 攻讀碩士學位期間申請的專利
附錄4 攻讀碩士學位期間參加的科研項目
致謝



本文編號：3154994