基于128 kbit AlO_x/WO_x雙層結(jié)構(gòu)阻變存儲(chǔ)器（RRAM）芯片,提出并驗(yàn)證了還原時(shí)間對RRAM開關(guān)速度的調(diào)制作用,同時(shí)設(shè)計(jì)了一種固定電壓幅值逐步增大脈寬的算法用于RRAM陣列中速度的測試。還原處理的時(shí)間越長,AlO_x層的厚度越薄,同時(shí)氧空位的含量增多,可加快導(dǎo)電細(xì)絲的形成、斷裂和重新連接,進(jìn)而提升芯片的開關(guān)速度。測試結(jié)果表明,還原時(shí)間由10 min增加至30 min,在4 V和4.5 V操作電壓下,FORMING速度分布的均值分別由200 ns減小至120 ns和由100 ns減小至60 ns;在4 V和4.5 V操作電壓下,RESET速度分布的均值分別由160 ns減小至120 ns和由120 ns減小至100 ns;SET速度分布的均值在4 V電壓下可由120 ns減小至80 ns。此外,還原時(shí)間的增長可以改善速度分布的一致性,減小速度的波動(dòng)。 

【文章來源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2017,42(09)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 128 kbit Al Ox/WOx雙層結(jié)構(gòu)RRAM測試芯片
2 開關(guān)速度測試算法
3 不同還原時(shí)間開關(guān)速度測試結(jié)果
    3.1 FORMING速度
    3.2 RESET速度
    3.3 SET速度
4 還原時(shí)間調(diào)制RRAM開關(guān)速度的機(jī)理分析
5 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
碩士論文
[1]ZnO憶阻器的全溶液法制備及性能研究[D]. 鄭秀.杭州電子科技大學(xué) 2018



本文編號：3123410