通過化學(xué)還原和熱處理的方法制備出了具有核殼結(jié)構(gòu)的Ni/NiO納米線,利用掃描電子顯微鏡、X射線衍射、熱重分析等手段對(duì)不同退火溫度下的樣品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)表征和分析,分析了樣品微結(jié)構(gòu)對(duì)單根Ni/NiO納米線器件阻變性能的影響。結(jié)果表明:隨著退火溫度的升高,Ni/NiO納米線表面逐漸光滑,NiO薄膜層結(jié)晶度提高,NiO平均粒徑逐漸增大,氧化層也逐漸變厚。I-V測(cè)試曲線表明,在300℃退火條件下,單根Ni/NiO納米線器件展現(xiàn)出優(yōu)異的阻變性能,開關(guān)比大,開關(guān)閾值電壓小;但隨著溫度的升高,單根Ni/NiO納米線器件阻變性能明顯下降,其原因可能是因?yàn)橥嘶饻囟鹊倪M(jìn)一步升高導(dǎo)致了NiO薄膜層厚度的增加并提高了薄膜的結(jié)晶質(zhì)量阻礙了導(dǎo)電細(xì)絲在NiO層內(nèi)的產(chǎn)生造成的,只有在適當(dāng)溫度處理下出現(xiàn)的微結(jié)構(gòu)才能使Ni/NiO納米線器件具有最優(yōu)化的阻變性能。 

【文章來源】：微納電子技術(shù). 2017,54(01)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 樣品制備和表征
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3113752