<正>近日,中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心羅軍研究員課題組在STT-MRAM器件與集成技術(shù)研究領(lǐng)域取得了階段性進(jìn)展。該課題組聯(lián)合北京航空航天大學(xué)趙巍勝教授團(tuán)隊(duì)以及江蘇魯汶儀器有限公司,基于200mm CMOS先導(dǎo)工藝研發(fā)線,自主研發(fā)原子層級磁性薄膜沉積、深紫外曝光、原子層級隧道結(jié)刻蝕以及金屬互連等關(guān)鍵工藝模塊,在國內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)了晶片級亞百納米 

【文章來源】：中國集成電路. 2020,29(Z4)

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