隨著超大規(guī)模集成（VLSI）電路的發(fā)展,芯片結(jié)構(gòu)及工藝變得日益復(fù)雜,同時給失效分析工作帶來了挑戰(zhàn)。內(nèi)嵌式存儲器作為片上系統(tǒng)（SOC）內(nèi)部模塊的重要組成部分,其具有結(jié)構(gòu)復(fù)雜、密度高等特點,常規(guī)的失效分析手段難以準(zhǔn)確定位其失效模式和機理。介紹了紅外發(fā)光顯微鏡（EMMI）、電壓襯度（VC）、去層、聚焦離子束（FIB）的分析原理及組合失效分析技術(shù)。針對傳統(tǒng)分析手段的不足及局限性,提出了采用一種選擇性刻蝕方法對柵氧化層的微小缺陷進行定位與分析。研究結(jié)果表明,該方法對分析柵氧化層擊穿等缺陷損傷具有明顯的優(yōu)勢,可以減少分析時間并提高失效分析成功率。 

【文章來源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2020,45(01)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

失效樣品的紅外EMMI照片

合格樣品的紅外EMMI照片

SEM觀察漏電位置時,結(jié)合晶體管特性采用電壓襯度(VC)觀察方法,對樣品表面電勢進行掃描。VC技術(shù)是利用樣品表面高低不同的電勢對其表面的二次電子發(fā)射率產(chǎn)生影響這一現(xiàn)象,通過調(diào)整樣品表面的二次電子的發(fā)射,最終將樣品表面形貌襯度和VC疊加在一起,產(chǎn)生明暗對比明顯的圖像的一項技術(shù)[6]。圖7 金屬層1的VC圖像

【參考文獻】：
期刊論文
[1]由柵氧損傷引起閂鎖效應(yīng)的失效分析[J]. 劉楠,劉大鵬,張輝,祝偉明.  半導(dǎo)體技術(shù). 2015(06)
[2]聚焦離子束（FIB）及其應(yīng)用[J]. 韓偉,肖思群.  中國材料進展. 2013(12)
[3]FIB與PEM聯(lián)用在半導(dǎo)體器件失效分析中的應(yīng)用[J]. 辛娟娟,韋旎妮,劉抒,黃紅偉,葉景良.  半導(dǎo)體技術(shù). 2010(07)
[4]紅外發(fā)光顯微鏡及其在集成電路失效分析中的應(yīng)用[J]. 張濱海,方培源,王家楫.  分析儀器. 2008(05)
[5]電壓襯度像技術(shù)在IC失效分析中的應(yīng)用[J]. 陳琳,汪輝.  半導(dǎo)體技術(shù). 2008(07)
[6]雙層多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模擬和驗證[J]. 黃飛鴻,鄭國祥,吳瑞.  半導(dǎo)體學(xué)報. 2003(06)

碩士論文
[1]失效分析技術(shù)應(yīng)用研究[D]. 李阿玲.復(fù)旦大學(xué) 2014



本文編號：3078765