隨著科學技術(shù)的發(fā)展,MEMS已成為當今的重要發(fā)展方向。實現(xiàn)MEMS和利用MEMS的重要途徑之一就是微加工技術(shù)。本文主要對微加工技術(shù)中的光刻技術(shù)和ICP刻蝕技術(shù)進行了實驗研究,并通過微加工實驗加工出具有二級臺階的硬盤磁頭滑塊。首先,對微加工技術(shù)的一些方法和原理進行了研究。微加工技術(shù)主要包括光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)。其中光刻主要包括掩膜版的設(shè)計制作、曝光、顯影等主要技術(shù),本課題對其分別進行了詳細的論述和研究�？涛g技術(shù)主要包括濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕是一種傳統(tǒng)的純化學刻蝕,雖然具有設(shè)備簡單等優(yōu)點,但是也有其缺陷。然后重點介紹了本課題中主要使用的感應耦合等離子刻蝕（ICP）,接著研究了曝光時間和顯影時間對光刻質(zhì)量的影響,再通過單步反應離子刻蝕分析ICP刻蝕參數(shù)如何影響刻蝕的速率,并對具有高深寬比的模型進行了交替復合深刻蝕工藝實驗。最后,根據(jù)多臺階刻蝕的技術(shù)要求,刻蝕出具有二級臺階的硬盤磁頭滑塊,并對其進行形貌分析。 

【文章來源】：北方工業(yè)大學北京市

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
目錄
1. 緒論
    1.1 選題背景及目的
    1.2 MEMS加工技術(shù)
        1.2.1 表面微加工技術(shù)
        1.2.2 體微加工技術(shù)
    1.3 微加工技術(shù)的歷史及發(fā)展
    1.4 本課題的主要研究內(nèi)容及意義
2 微加工技術(shù)基礎(chǔ)
    2.1 微加工工藝常用材料
    2.2 光刻技術(shù)基本原理
        2.2.1 光刻膠
        2.2.2 曝光
        2.2.3 掩膜版
        2.2.4 光刻的基本過程
    2.3 刻蝕技術(shù)基本原理
        2.3.1 濕法刻蝕
        2.3.2 反應離子干法刻蝕（RIE）
        2.3.3 感應耦合等離子刻蝕（ICP）
    2.4 本章小結(jié)
3 微加工基本實驗的探索
    3.1 影響光刻質(zhì)量的因素
        3.1.1 曝光時間對光刻質(zhì)量的影響
        3.1.2 顯影時間對光刻質(zhì)量的影響
    3.2 影響ICP刻蝕的因素
        3.2.1 射頻電源功率對刻蝕速率的影響
        3.2.2 氣體流量對刻蝕速率的影響
    3.3 本章小結(jié)
4 交替復合深刻蝕工藝實驗
    4.1 交替復合深刻蝕工藝原理
    4.2 交替復合深刻蝕工藝實驗研究及分析
    4.3 本章小結(jié)
5 硬盤磁頭的微加工實驗及結(jié)果分析
    5.1 磁頭掩膜版的制作
        5.1.1 二級臺階掩膜版的對準標記設(shè)計要求
        5.1.2 磁頭的掩膜版的設(shè)計
    5.2 磁頭的加工實驗
        5.2.1 實驗步驟及參數(shù)
        5.2.2 實驗結(jié)果分析
    5.3 本章小結(jié)
結(jié)論與展望
參考文獻
申請學位期間的研究成果
致謝


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3077804