作為數(shù)據(jù)中心大國,我國數(shù)據(jù)中心建設(shè)飛速發(fā)展。與數(shù)據(jù)中心節(jié)能、安全密切相關(guān)的高壓直流（HVDC）配電系統(tǒng)研究成為熱門課題�；诘墸℅a N）、碳化硅（SiC）的第三代半導(dǎo)體器件,是HVDC配電系統(tǒng)LLC諧振變換器的首選電路拓?fù)?降低高頻鐵氧體變壓器的功率損耗對該電路的效率提升起著極為重要的作用。介紹了國外應(yīng)用于該電路的高頻鐵氧體磁性材料的研發(fā)狀態(tài),及降低變壓器繞組導(dǎo)線損耗的研究成果。 

【文章來源】：磁性材料及器件. 2020,51(05)

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

MC2鐵氧體材料的功率損耗特性：(a)與溫度的關(guān)系，(b)與磁通密度的關(guān)系

圖6 日立金屬的幾種高頻低損耗材料

從圖中可以看到，500 k Hz、100 m T條件下，25℃、80℃及100℃的功率損耗分別為783m W/cm3、656 m W/cm3及704 m W/cm3。從研究水平來看，目前性能最好的高頻低損耗Mn Zn鐵氧體材料可以達(dá)到如下技術(shù)指標(biāo)：功率損耗低至87 m W/cm3(1 MHz,50 m T,85℃)和319 m W/cm3(3 MHz,30m T,85℃)[11]。4.2 變壓器繞組


本文編號：3033503