目前,Flash Memory在非易失性半導(dǎo)體存儲器市場上占有很大的份額,因為它具有高密度、低功耗、小體積和高可靠性等優(yōu)點。但是隨著微電子技術(shù)節(jié)點的不斷向前推進,尤其是器件尺寸減小到45nm、32nm技術(shù)節(jié)點時,傳統(tǒng)的浮柵結(jié)構(gòu)Flash Memory在可縮小性方面受到嚴重的制約。在這種情況下,分立式電荷存儲技術(shù)將盡可能的把Flash技術(shù)向更高的技術(shù)代推進。分立式電荷存儲技術(shù)有三種設(shè)計方法,第一種是引入納米晶作為電荷存儲點；第二種是利用化合物本身的深能級缺陷作為存儲點,即電荷俘獲型存儲器；第三種是納米晶和電荷陷阱介質(zhì)兩種的混合。本文的主要研究內(nèi)容是電荷俘獲型存儲器。與傳統(tǒng)的浮柵存儲器相比,其隧穿層局部的漏電通道只會造成少數(shù)區(qū)域的漏電,具有很好的器件性能。文中首先介紹了Flash Memory的研究背景,包括Flash Memory的由來,應(yīng)用與市場,以及Flash Memory的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢,并對Flash器件的結(jié)構(gòu)、工作原理和一些通用的存儲器性能參數(shù)做了介紹。其次,為了緩解傳統(tǒng)Flash Memory尺寸縮小受限問題,我們研究了采用分立式存儲電荷方法的電荷俘獲型存儲器,并對電荷俘獲存... 

【文章來源】：安徽大學(xué)安徽省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
目錄
第一章 緒論
    §1.1 Flash Memory的由來
    §1.2 Flash Memory的應(yīng)用和市場
    §1.3 Flash Memory的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢
    §1.4 本文組織結(jié)構(gòu)
第二章 浮柵器件工作原理與性能參數(shù)
    §2.1 浮柵Flash器件結(jié)構(gòu)與工作原理
    §2.2 閾值電壓分析
    §2.3 浮柵Flash器件的電荷輸運機制
        §2.3.1 溝道熱電子注入（Channel Hot Electron Injection）
        §2.3.2 Fowler-Nordheim隧穿（F-N Tunneling）
        §2.3.3 直接隧穿
    §2.4 評價非易失性存儲器的性能參數(shù)
    §2.5 非易失性存儲器的可靠性
        §2.5.1 耐受性
        §2.5.2 數(shù)據(jù)保持特性
    §2.6 本章小結(jié)
第三章 電荷俘獲存儲器件（CTM:charge trapping memory）結(jié)構(gòu)與性能分析
    §3.1 電荷俘獲型存儲器結(jié)構(gòu)和特點
    §3.2 電荷俘獲型存儲器中俘獲層的研究
        §3.2.1 改進的氮化硅俘獲層
        §3.2.2 高k介質(zhì)材料俘獲層
        §3.2.3 引入納米晶材料的俘獲層
    §3.3 本章小結(jié)
第四章 MAHOS結(jié)構(gòu)MOS存儲電容的制備與測試
    §4.1 MAHOS結(jié)構(gòu)MOS存儲器
        §4.1.1 實驗制備
        §4.1.2 電荷存儲特性測試方法
            §4.1.2.1 C-V測試
            §4.1.2.2 G-V測試
            §4.1.2.3 I-V測試
            §4.1.2.4 C-t測試
    §4.2 MAHOS結(jié)構(gòu)測試結(jié)果分析與討論
    §4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    §5.1 總結(jié)
    §5.2 對未來研究的展望
參考文獻
致謝
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文


【參考文獻】：
期刊論文
[1]電荷俘獲存儲器中俘獲層的研究進展[J]. 李德君,劉明,龍世兵,王琴,張滿紅,劉璟,楊仕謙,王永,楊瀟楠,陳軍寧,代月花.  微納電子技術(shù). 2009(09)

碩士論文
[1]納米晶浮柵結(jié)構(gòu)先進存儲器的研究與模擬[D]. 寧潤蘇.電子科技大學(xué) 2009



本文編號：3012701