低EMI鍵鼠控制芯片設計
發(fā)布時間:2021-01-23 10:13
為了適應鍵盤鼠標制造廠商不斷更新的應用需求和對芯片本身越來越高的性能需要,本文介紹了一款典型的用于鍵鼠控制的單片機芯片的設計和開發(fā)。從系統(tǒng)定義出發(fā)確定了以8051微控制器作為控制核心,使用閃存作為程序存儲介質的系統(tǒng)架構。外圍配置了電源管理,時鐘管理,復位控制,定時器,多模式串行輸出及模數(shù)轉換等功能模塊。針對鍵盤鼠標廠商關心的低電磁輻射性能,提出了通過降低系統(tǒng)同步設計電路的峰值電流和降低芯片管腳翻轉時造成的峰值電流以達到降低芯片電磁輻射的具體設計方案。仿真和實測結果表明通過降低峰值電流可以明顯降低電磁輻射,并且在鍵盤鼠標應用系統(tǒng)中得到了很好的驗證。
【文章來源】:復旦大學上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:60 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
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本文編號:2995037
【文章來源】:復旦大學上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:60 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
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RRR000R111R222R333R444R555R666尺 777 RRR000R111R222R333R444R555R666R777圖2一5工nterna1R八初功能劃分示意圖工 NTERNALRAM接口信號如下表:表2一linternalram接口 NNNameeeI/000Functionnn iiiramenableeeOOO工 nternalRAM使能信號,高電平有效 效 iiiramreadnwriteeeOOO工 nternalRAM讀寫信號,高電平讀有效,低電平寫有效 效iiiram_addr「7:0〕 〕 OOOInterna1R燦1地址線 線 iiiram_data_in[7:O]]]OOO工 nternalRAM寫數(shù)據(jù)線 線iiiram_data_out〔7:川 川工 工 InternalRAM讀數(shù)據(jù)線 線下圖為工 nternalRAM讀寫時序:re.d一rameyelewr硯e一 rameyele CIk iramenableiram「 eadnwriteiram_addr[7:01iram_data_out【7:0』iram_data_in【7:O』玲一eofe‘ead.;“ mhereIF日ml日tCheS日 ddFeSSand Controlhere-一)芡一da, aod,al:d一 ramlatchesaddress.eontrol日 ndda生 ahefe一今圖2一 611飛ternalRAM讀寫時序(indireet方式下也采用elk上升沿抓取)12
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