發(fā)布時間：2021-01-23 10:13

　　為了適應(yīng)鍵盤鼠標(biāo)制造廠商不斷更新的應(yīng)用需求和對芯片本身越來越高的性能需要,本文介紹了一款典型的用于鍵鼠控制的單片機芯片的設(shè)計和開發(fā)。從系統(tǒng)定義出發(fā)確定了以8051微控制器作為控制核心,使用閃存作為程序存儲介質(zhì)的系統(tǒng)架構(gòu)。外圍配置了電源管理,時鐘管理,復(fù)位控制,定時器,多模式串行輸出及模數(shù)轉(zhuǎn)換等功能模塊。針對鍵盤鼠標(biāo)廠商關(guān)心的低電磁輻射性能,提出了通過降低系統(tǒng)同步設(shè)計電路的峰值電流和降低芯片管腳翻轉(zhuǎn)時造成的峰值電流以達(dá)到降低芯片電磁輻射的具體設(shè)計方案。仿真和實測結(jié)果表明通過降低峰值電流可以明顯降低電磁輻射,并且在鍵盤鼠標(biāo)應(yīng)用系統(tǒng)中得到了很好的驗證。 

【文章來源】：復(fù)旦大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：60 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

全球keyboard出貨量圖

RRR000R111R222R333R444R555R666尺 777 RRR000R111R222R333R444R555R666R777圖2一5工nterna1R八初功能劃分示意圖工 NTERNALRAM接口信號如下表:表2一linternalram接口 NNNameeeI/000Functionnn iiiramenableeeOOO工 nternalRAM使能信號，高電平有效 效 iiiramreadnwriteeeOOO工 nternalRAM讀寫信號，高電平讀有效，低電平寫有效 效iiiram_addr「7:0〕 〕 OOOInterna1R燦1地址線 線 iiiram_data_in[7:O]]]OOO工 nternalRAM寫數(shù)據(jù)線 線iiiram_data_out〔7:川 川工 工 InternalRAM讀數(shù)據(jù)線 線下圖為工 nternalRAM讀寫時序:re.d一rameyelewr硯e一 rameyele CIk iramenableiram「 eadnwriteiram_addr[7:01iram_data_out【7:0』iram_data_in【7:O』玲一eofe‘ead.;“ mhereIF日ml日tCheS日 ddFeSSand Controlhere-一)芡一da， aod，al:d一 ramlatchesaddress.eontrol日 ndda生 ahefe一今圖2一 611飛ternalRAM讀寫時序(indireet方式下也采用elk上升沿抓取)12

SFR讀寫時序圖


本文編號：2995037