在科技發(fā)展日新月異的今天,基于磁疇壁器件的相關研究正逐漸引起人們的關注。與磁疇壁相關的新型器件已經(jīng)在諸如新型存儲器、磁傳感器件等領域有了廣闊的應用前景。然而,在疇壁機制相關的研究領域方面,人們基于疇壁運動對疇壁進行精確的定位仍然十分困難,對于疇壁磁電阻對磁電阻效應的影響也尚不明確,這些都對于與疇壁相關器件的設計十分重要。本文通過設計一種Co/Py橫向異質結結構,對疇壁的位置進行了確認,并通過摻雜不同元素,分析了疇壁磁電阻的變化。第一章緒論部分主要介紹了磁存儲器技術的當前進展以及這期間所遇到的相關問題,磁電阻效應的概述和分類,磁疇與疇壁的相關知識,并論述了在磁疇壁研究當中疇壁位置的定位問題以及疇壁磁電阻是增加了磁電阻效應（正向的疇壁磁電阻）還是減少了磁電阻效應（負向的疇壁磁電阻）。第二章主要介紹Co/Py橫向異質結結構的制備工藝和測試方法。在實驗中,我們主要采用了磁控濺射工藝、掩膜版技術、離子束刻蝕工藝等微加工相關技術,我們詳細介紹了與此相關的儀器設備的工作原理與工作流程,并對其中的注意事項進行了總結。此外,我們在微加工技術的基礎上對實驗流程進行了一定的改進,使之更符合當前的實驗條件。樣... 

【文章來源】：安徽大學安徽省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：72 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 磁電阻效應
        1.2.1 正常磁電阻效應（OMR）
        1.2.2 各向異性磁電阻效應（AMR）
        1.2.3 巨磁電阻效應（GMR）
        1.2.4 隧道磁電阻效應（TMR）
    1.3 疇壁
        1.3.1 磁疇
        1.3.2 疇壁
    1.4 本論文的選題背景和主要研究方向
        1.4.1 疇壁位置的確認
        1.4.2 疇壁磁電阻的變化現(xiàn)象
第二章 薄膜樣品的制備流程
    2.1 掩膜版的設計
    2.2 硅片的清洗
    2.3 磁控濺射鍍膜
        2.3.1 磁控濺射原理
        2.3.2 磁控濺射設備
        2.3.3 磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的操作步驟
        2.3.4 磁控濺射鍍膜流程
    2.4 離子束刻蝕
        2.4.1 覆蓋掩膜版
        2.4.2 離子束刻蝕
        2.4.3 等離子清洗
        2.4.4 制備頂電極
    2.5 樣品切割
    2.6 薄膜樣品的測試
        2.6.1 振動樣品磁強計（VSM）
        2.6.2 磁電阻測試
        2.6.3 磁光克爾顯微鏡
第三章 結果與討論
    3.1 Co/Py橫向異質結結構樣品的疇壁磁電阻
    3.2 在Py中摻雜了Cr、Cu的Co/Py橫向異質結結構樣品的疇壁磁電阻變化
第四章 總結與展望
參考文獻
致謝
攻讀碩士學位期間發(fā)表的學術論文和專利


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2975191