在科技發(fā)展日新月異的今天,基于磁疇壁器件的相關(guān)研究正逐漸引起人們的關(guān)注。與磁疇壁相關(guān)的新型器件已經(jīng)在諸如新型存儲(chǔ)器、磁傳感器件等領(lǐng)域有了廣闊的應(yīng)用前景。然而,在疇壁機(jī)制相關(guān)的研究領(lǐng)域方面,人們基于疇壁運(yùn)動(dòng)對(duì)疇壁進(jìn)行精確的定位仍然十分困難,對(duì)于疇壁磁電阻對(duì)磁電阻效應(yīng)的影響也尚不明確,這些都對(duì)于與疇壁相關(guān)器件的設(shè)計(jì)十分重要。本文通過設(shè)計(jì)一種Co/Py橫向異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),對(duì)疇壁的位置進(jìn)行了確認(rèn),并通過摻雜不同元素,分析了疇壁磁電阻的變化。第一章緒論部分主要介紹了磁存儲(chǔ)器技術(shù)的當(dāng)前進(jìn)展以及這期間所遇到的相關(guān)問題,磁電阻效應(yīng)的概述和分類,磁疇與疇壁的相關(guān)知識(shí),并論述了在磁疇壁研究當(dāng)中疇壁位置的定位問題以及疇壁磁電阻是增加了磁電阻效應(yīng)（正向的疇壁磁電阻）還是減少了磁電阻效應(yīng)（負(fù)向的疇壁磁電阻）。第二章主要介紹Co/Py橫向異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的制備工藝和測(cè)試方法。在實(shí)驗(yàn)中,我們主要采用了磁控濺射工藝、掩膜版技術(shù)、離子束刻蝕工藝等微加工相關(guān)技術(shù),我們?cè)敿?xì)介紹了與此相關(guān)的儀器設(shè)備的工作原理與工作流程,并對(duì)其中的注意事項(xiàng)進(jìn)行了總結(jié)。此外,我們?cè)谖⒓庸ぜ夹g(shù)的基礎(chǔ)上對(duì)實(shí)驗(yàn)流程進(jìn)行了一定的改進(jìn),使之更符合當(dāng)前的實(shí)驗(yàn)條件。樣... 

【文章來源】：安徽大學(xué)安徽省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：72 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 磁電阻效應(yīng)
        1.2.1 正常磁電阻效應(yīng)（OMR）
        1.2.2 各向異性磁電阻效應(yīng)（AMR）
        1.2.3 巨磁電阻效應(yīng)（GMR）
        1.2.4 隧道磁電阻效應(yīng)（TMR）
    1.3 疇壁
        1.3.1 磁疇
        1.3.2 疇壁
    1.4 本論文的選題背景和主要研究方向
        1.4.1 疇壁位置的確認(rèn)
        1.4.2 疇壁磁電阻的變化現(xiàn)象
第二章 薄膜樣品的制備流程
    2.1 掩膜版的設(shè)計(jì)
    2.2 硅片的清洗
    2.3 磁控濺射鍍膜
        2.3.1 磁控濺射原理
        2.3.2 磁控濺射設(shè)備
        2.3.3 磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的操作步驟
        2.3.4 磁控濺射鍍膜流程
    2.4 離子束刻蝕
        2.4.1 覆蓋掩膜版
        2.4.2 離子束刻蝕
        2.4.3 等離子清洗
        2.4.4 制備頂電極
    2.5 樣品切割
    2.6 薄膜樣品的測(cè)試
        2.6.1 振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)（VSM）
        2.6.2 磁電阻測(cè)試
        2.6.3 磁光克爾顯微鏡
第三章 結(jié)果與討論
    3.1 Co/Py橫向異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)樣品的疇壁磁電阻
    3.2 在Py中摻雜了Cr、Cu的Co/Py橫向異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)樣品的疇壁磁電阻變化
第四章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文和專利


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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