在當(dāng)今的電子系統(tǒng)設(shè)計中,內(nèi)存被使用的越來越多,并且對內(nèi)存的要求也越來越高,要求DDR SDRAM的存取速度盡可能的快,容量盡可能的大。而DDR SDRAM接口電路設(shè)計技術(shù)是制約內(nèi)存使用性能提高的關(guān)鍵,在目前市場上內(nèi)核工作頻率達(dá)到幾個GHz的情況下,DDR SDRAM接口電路的工作頻率卻一般在幾百MHz以下。接口電路己經(jīng)成為集成電路快速發(fā)展的一個瓶頸。為了解決傳統(tǒng)內(nèi)存接口電路工作頻率低的問題,出現(xiàn)了專用于內(nèi)核和DDR SDRAM之間的接口標(biāo)準(zhǔn)SSTL。本文基于0.13μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝,全訂制設(shè)計了一款應(yīng)用于內(nèi)存控制器中,工作頻率為400MHz物理層的SSTL接口電路。本文首先介紹了課題背景、研究現(xiàn)狀以及SSTL接口電路的相關(guān)理論。然后介紹了SSTL接口電路的設(shè)計。SSTL接口電路共分為兩個部分:SSTL I/O Buffer和SSTL時序控制電路。SSTL I/O Buffer包括輸入Buffer,輸出Buffer和片內(nèi)終端ODT。輸入Buffer中設(shè)計了測試和靜電保護(hù)電路,輸出Buffer中采用電流驅(qū)動的方式提高了電路的工作頻率和驅(qū)動能力,片內(nèi)終端ODT可防止信號在輸出端形成反射。... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：59 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 課題背景
    1.2 研究現(xiàn)狀與進(jìn)展
    1.3 課題研究內(nèi)容
    1.4 論文的組織結(jié)構(gòu)
第2章 SSTL接口電路相關(guān)理論及技術(shù)研究
    2.1 I/O Buffer基本理論
    2.2 SSTL I/O Buffer原理
    2.3 SSTL接口電路的噪聲分析
    2.4 本章小結(jié)
第3章 SSTL I/O Buffer的電路設(shè)計
    3.1 SSTL輸入Buffer的電路設(shè)計
        3.1.1 輸入Buffer的設(shè)計方案
        3.1.2 ESD輸入保護(hù)電路設(shè)計
        3.1.3 輸入Buffer電路設(shè)計
        3.1.4 SSTL輸入Buffer電路仿真
    3.2 SSTL輸出Buffer的電路設(shè)計
        3.2.1 輸出Buffer的設(shè)計方案
        3.2.2 輸出Buffer電路設(shè)計
        3.2.3 SSTL輸出Buffer電路仿真
    3.3 片內(nèi)ODT電路設(shè)計
    3.4 本章小結(jié)
第4章 SSTL時序控制電路設(shè)計
    4.1 數(shù)據(jù)通道模塊的設(shè)計
    4.2 控制模塊的設(shè)計
    4.3 本章小結(jié)
第5章 版圖設(shè)計與驗證
    5.1 版圖設(shè)計技術(shù)及考慮的因素
    5.2 SSTL I/O Buffer版圖設(shè)計
    5.3 SSTL時序控制版圖設(shè)計
    5.4 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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本文編號：2975173