基于自旋轉(zhuǎn)移矩的磁性隨機存儲器（Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistance RAM,STT-MRAM）具有非易失性、快速寫入、可無限擦寫等優(yōu)點,有望成為下一代低功耗通用存儲器;相比于STT-MRAM,基于自旋軌道矩的磁性隨機存儲器（Spin Orbit Torque-Based MRAM,SOT-MRAM）以其更低的寫入電流、更快的寫入速度、更好的兼容性等優(yōu)勢將取代STT-MRAM成為第三代存儲器。近年來STT-MRAM商用芯片的問世大大推動了這類磁性存儲器件的研究與應用,SOT相關效應的研究對未來磁性存儲等自旋電子學器件的發(fā)展,打破我國磁性存儲芯片純進口、技術(shù)被壟斷的現(xiàn)狀具有重要意義。本論文主要研究了一類重金屬層/鐵磁層/氧化絕緣層的磁性多層膜結(jié)構(gòu)中SOT相關效應,研究內(nèi)容主要包括:（1）研究了Ta/CoFeB/MgO結(jié)構(gòu)中的磁化翻轉(zhuǎn)現(xiàn)象。采用磁控濺射制備了具有垂直各向異性的Ta/CoFeB/MgO薄膜,并對其在不同溫度條件下進行退火;通過施加脈沖電流測量了樣品霍爾器件的反�；魻栃�,得到了樣品磁化翻轉(zhuǎn)的相關圖像。樣品退火后實現(xiàn)完全磁化翻... 

【文章來源】：蘭州大學甘肅省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：89 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

磁存儲面密度的發(fā)展進程

的記錄模式主要有四種：（1）水平記錄模式[2, 3]：介質(zhì)的磁化且沿著磁道；（2）垂直記錄模式：介質(zhì)的磁化方向垂直于盤面式：介質(zhì)的磁化方向在磁盤面內(nèi)且與磁頭的運動方向垂直；（：介質(zhì)的易磁化方向與盤面成一定的角度（例如 45°角）。在這磁記錄由于受到技術(shù)限制沒有得到廣泛的研究，而以前占主流也由于受到記錄介質(zhì)的超順磁效應以及磁頭讀寫能力的限制，提升，水平磁記錄的記錄面密度已經(jīng)停留在 150 ~ 200 Gbit/in直磁記錄方式逐漸取代水平磁記錄方式成為了磁記錄技術(shù)研究 給出了水平磁記錄和垂直磁記錄裝置的示意圖，可以看到磁記部件包括：讀磁頭、寫磁頭以及記錄介質(zhì)。磁記錄介質(zhì)主要負般來說存入的信息至少需要能夠保持 10 年，這樣就需要磁記矯頑力以抵抗外界環(huán)境對磁性單元的影響，從而保證信息不會磁頭需要能夠提供足夠強大的磁場才能夠?qū)⑿枰鎯Φ男畔⒕褪歉淖兇判源鎯卧拇呕癄顟B(tài)。

州大學碩士研究生學位論文 Ta/CoFeB/MgO 結(jié)構(gòu)中自旋軌道矩相關效應的研究技術(shù)成熟等特點，目前仍然是最為安全、可靠、低成本的存儲技術(shù)，并且一直據(jù)數(shù)據(jù)存儲市場 90%以上的份額。圖 1-3 展示了臺式電腦 HDD 硬盤的內(nèi)部結(jié)，可以看到主要包含前文中提及的磁記錄的核心部件：磁盤 (記錄介質(zhì))和磁頭寫磁頭)，以及主軸馬達、促動器 (音圈馬達) 和一些機械輔助裝置，因此這類盤也叫做機械硬盤。讀寫信息時，主軸馬達驅(qū)動磁盤高速旋轉(zhuǎn)，音圈馬達帶動頭臂在磁盤徑向運動，這樣就能夠?qū)崿F(xiàn)在磁盤上任意位置讀寫信息。不難想象，樣的讀寫原理導致讀寫速度直接與磁盤的轉(zhuǎn)速掛鉤，因此讀寫速度是機械硬盤主要弊病之一；同時，由于眾多的機械設計，工作時的噪音、發(fā)熱以及機械部的抗震性能、使用壽命也是機械硬盤有待解決的問題。


本文編號：2970072