隨著NAND閃存芯片存儲(chǔ)密度的提高,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性已經(jīng)成為大容量閃速存儲(chǔ)系統(tǒng)研究及應(yīng)用面臨的重要問(wèn)題。等級(jí)調(diào)制方案利用單元間電荷值的相對(duì)等級(jí)所形成的置換而不是單元電荷絕對(duì)值來(lái)表示數(shù)據(jù),可以避免閃存單元的過(guò)度編程問(wèn)題,并且降低閃存中非對(duì)稱錯(cuò)誤的影響�；诘燃�(jí)調(diào)制方案的置換碼（Permutation code）和多重置換碼（Multi-Permutation code）能夠緩解閃存的過(guò)度編程和電荷泄露等問(wèn)題。因此,等級(jí)調(diào)制糾錯(cuò)碼的構(gòu)造及其相關(guān)譯碼方法的研究近年來(lái)受到了學(xué)者們的廣泛關(guān)注。本文對(duì)基于等級(jí)調(diào)制方案的置換碼和多重置換的構(gòu)造方法進(jìn)行了深入的研究,主要研究成果概括如下:1.閃存單元發(fā)生的“強(qiáng)度有限錯(cuò)誤”可以利用切比雪夫距離度量來(lái)描述。針對(duì)切比雪夫距離度量下可以糾正“強(qiáng)度有限錯(cuò)誤”的（7）k（10）n,k!,d（8）系統(tǒng)置換碼缺乏編譯碼方法的問(wèn)題,通過(guò)利用置換的ranking映射和切比雪夫距離度量下（n,M,d）置換碼的交織技術(shù),提出了該系統(tǒng)置換碼的一種編碼方法。同時(shí),借助置換的unranking映射和切比雪夫距離度量下（n,M,d）置換碼中置換投影技術(shù),提出了該系統(tǒng)置換碼的一種譯碼方... 

【文章來(lái)源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：100 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

閃存單元的基本結(jié)構(gòu)

存中的問(wèn)題存單元技術(shù)的應(yīng)用，閃存的存儲(chǔ)密度得到了較大的提高，題（Overshooting）:由于閃存在寫(xiě)數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)時(shí)具有不編入較多電荷時(shí)會(huì)發(fā)生編程錯(cuò)誤。為了糾正這個(gè)編程錯(cuò)誤塊全部擦除并重新編程，這就是過(guò)度編程問(wèn)題。過(guò)度編程性能。為了防止過(guò)度編程問(wèn)題的出現(xiàn)，對(duì)閃存單元的編程單元進(jìn)行編程是不是一次到位的進(jìn)行充電，而是一點(diǎn)一點(diǎn)完成置換都需要進(jìn)行感知然后與閾值電壓進(jìn)行比較。如果之間，則編程完成，否則要么繼續(xù)進(jìn)行電荷的加入，要么程稱為迭代單元編程。盡管這種機(jī)制也降低了閃存的使用編程的問(wèn)題。題（Charge Leakage）：由于多級(jí)閃存單元技術(shù)的使用，閾


本文編號(hào)：2944709