隨著NAND閃存芯片存儲密度的提高,數據存儲的可靠性已經成為大容量閃速存儲系統研究及應用面臨的重要問題。等級調制方案利用單元間電荷值的相對等級所形成的置換而不是單元電荷絕對值來表示數據,可以避免閃存單元的過度編程問題,并且降低閃存中非對稱錯誤的影響�；诘燃壵{制方案的置換碼（Permutation code）和多重置換碼（Multi-Permutation code）能夠緩解閃存的過度編程和電荷泄露等問題。因此,等級調制糾錯碼的構造及其相關譯碼方法的研究近年來受到了學者們的廣泛關注。本文對基于等級調制方案的置換碼和多重置換的構造方法進行了深入的研究,主要研究成果概括如下:1.閃存單元發(fā)生的“強度有限錯誤”可以利用切比雪夫距離度量來描述。針對切比雪夫距離度量下可以糾正“強度有限錯誤”的（7）k（10）n,k!,d（8）系統置換碼缺乏編譯碼方法的問題,通過利用置換的ranking映射和切比雪夫距離度量下（n,M,d）置換碼的交織技術,提出了該系統置換碼的一種編碼方法。同時,借助置換的unranking映射和切比雪夫距離度量下（n,M,d）置換碼中置換投影技術,提出了該系統置換碼的一種譯碼方... 

【文章來源】：西安電子科技大學陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：100 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

閃存單元的基本結構

存中的問題存單元技術的應用，閃存的存儲密度得到了較大的提高，題（Overshooting）:由于閃存在寫數據和擦除數據時具有不編入較多電荷時會發(fā)生編程錯誤。為了糾正這個編程錯誤塊全部擦除并重新編程，這就是過度編程問題。過度編程性能。為了防止過度編程問題的出現，對閃存單元的編程單元進行編程是不是一次到位的進行充電，而是一點一點完成置換都需要進行感知然后與閾值電壓進行比較。如果之間，則編程完成，否則要么繼續(xù)進行電荷的加入，要么程稱為迭代單元編程。盡管這種機制也降低了閃存的使用編程的問題。題（Charge Leakage）：由于多級閃存單元技術的使用，閾


本文編號：2944709