提出一種新的相變存儲器(PCM)和DRAM混合內存偏向寫調度緩沖區(qū)頁面調度策略(FWLRU)。該策略根據PCM和DRAM在讀上區(qū)別不大,所以只進行"寫"熱頁調度進入DRAM,而不專門進行"讀"熱頁的調度,同時在PCM和DRAM的頁面置換時,不淘汰頁面,采取互換的原則,以增加頁面的命中率和減少PCM的寫。實驗結果表明,該策略能有效提高頁面的命中率和減少PCM的寫。 

【文章來源】：湖南工業(yè)大學學報. 2020年04期

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【部分圖文】：

PCM寫熱頁與DRAM中DR隊列尾部頁面互換

將FWLRU混合內存緩沖區(qū)調度策略和LRU、LRU-WPAM、CLOCK-DWF在模擬器上進行了頁面命中率檢測。圖2給出了5組測試數據集在內存頁面逐漸增大的情況下,4種不同的緩沖區(qū)調度下頁面未命中的數量。圖2 不同調度策略下的命中率實驗結果

不同調度策略下的命中率實驗結果


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