提出一種新的相變存儲器(PCM)和DRAM混合內(nèi)存偏向?qū)懻{(diào)度緩沖區(qū)頁面調(diào)度策略(FWLRU)。該策略根據(jù)PCM和DRAM在讀上區(qū)別不大,所以只進(jìn)行"寫"熱頁調(diào)度進(jìn)入DRAM,而不專門進(jìn)行"讀"熱頁的調(diào)度,同時(shí)在PCM和DRAM的頁面置換時(shí),不淘汰頁面,采取互換的原則,以增加頁面的命中率和減少PCM的寫。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該策略能有效提高頁面的命中率和減少PCM的寫。 

【文章來源】：湖南工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào). 2020年04期

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

PCM寫熱頁與DRAM中DR隊(duì)列尾部頁面互換

將FWLRU混合內(nèi)存緩沖區(qū)調(diào)度策略和LRU、LRU-WPAM、CLOCK-DWF在模擬器上進(jìn)行了頁面命中率檢測。圖2給出了5組測試數(shù)據(jù)集在內(nèi)存頁面逐漸增大的情況下,4種不同的緩沖區(qū)調(diào)度下頁面未命中的數(shù)量。圖2 不同調(diào)度策略下的命中率實(shí)驗(yàn)結(jié)果

不同調(diào)度策略下的命中率實(shí)驗(yàn)結(jié)果


本文編號：2935247