在先進(jìn)制程靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)單比特失效的分析過(guò)程中,SRAM樣品制備是關(guān)鍵,傳統(tǒng)研磨方法制備的樣品其表面容易出現(xiàn)鎢栓缺失的問(wèn)題。利用離子精密刻蝕儀制備用于納米探針電性能測(cè)試的SRAM樣品。通過(guò)刻蝕儀改變刻蝕能量和刻蝕角度來(lái)制備樣品,再對(duì)樣品進(jìn)行納米探針電性能測(cè)試并根據(jù)測(cè)試結(jié)果得到最佳刻蝕參數(shù)。在此參數(shù)下制備的樣品,其表面形貌完好并無(wú)鎢栓缺失,且測(cè)得的晶體管特性曲線與傳統(tǒng)方法制備的樣品測(cè)得的晶體管特性曲線相匹配。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,此方法可替代傳統(tǒng)樣品制備方法,并能有效提高失效分析的成功率。 

【文章來(lái)源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2020年05期 北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

樣品表面與納米探針

樣品表面的鎢栓缺失

首先對(duì)解封后的樣品進(jìn)行處理:較厚的外層金屬線采用濕法去除,即短暫浸泡在硝酸溶液中;較薄的內(nèi)層金屬線和線間絕緣層則不宜采用化學(xué)方法去除,一般采用機(jī)械研磨法。通過(guò)機(jī)械研磨將樣品研磨至接觸層的上一層通孔層,如圖3所示。利用PECS對(duì)處理后的樣品進(jìn)行精密刻蝕以確定適于納米探針電性能測(cè)試的刻蝕角度。由于刻蝕效果主要取決于刻蝕角度,刻蝕能量的選擇較為寬松,因此選擇1 keV的低刻蝕能量,刻蝕角度分別選取16°、12°、8°和4°。這4個(gè)刻蝕角度覆蓋了PECS的角度調(diào)節(jié)范圍,考慮到刻蝕效率,最小刻蝕角度選擇為4°。圖4給出了不同刻蝕角度下的刻蝕效果對(duì)比圖,從圖4(a)可以明顯看到刻蝕角度為16°時(shí)樣品表面接觸層上有殘余的通孔,這種樣品可能會(huì)損傷納米探針,并且接觸層周?chē)鷼堄嗟难趸锿瑯訒?huì)影響納米探針測(cè)試結(jié)果,因此16°下刻蝕的樣品不適于納米探針測(cè)試。而在12°、8°、4°下刻蝕的樣品接觸層形貌完好且飽滿,適于納米探針測(cè)試。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]納米尺寸芯片的透射電鏡樣品制備方法[J]. 段淑卿,虞勤琴,陳柳,趙燕麗,李明,張啟華,簡(jiǎn)維廷.  半導(dǎo)體技術(shù). 2016(12)



本文編號(hào)：2918968