踏入二十一世紀(jì),NAND Flash memory（快閃記憶體）,已廣泛應(yīng)用于移動(dòng)手提設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)中,NAND Flash無疑已經(jīng)成為主流的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)。由于NAND Flash出廠時(shí)和在使用中均會(huì)產(chǎn)生壞塊,壞塊管理一直是NAND Flash管理的關(guān)鍵和難點(diǎn)所在。傳統(tǒng)的針對小容量NAND Flash采用的壞塊管理算法已經(jīng)不能適應(yīng)現(xiàn)代大容量NAND Flash的需要。因此,急需突破傳統(tǒng)的NAND Flash壞塊管理設(shè)計(jì)思想,研究新的壞塊管理算法與關(guān)鍵技術(shù)。在上述研究內(nèi)容中,壞塊替換和邏輯—物理塊地址映射表的更新是壞塊管理算法的核心內(nèi)容,因此本論文重點(diǎn)研究NAND Flash中的壞塊管理算法與相應(yīng)的邏輯層驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),主要研究成果如下:（1）本論文在綜合分析ST等主流NAND Flash芯片供應(yīng)商提供的壞塊管理方法基礎(chǔ)上,提出了一種優(yōu)化了的動(dòng)態(tài)壞塊管理算法。在NAND Flash使用過程中,遇到擦除失敗或編程失敗的塊,進(jìn)行動(dòng)態(tài)的壞塊管理,動(dòng)態(tài)更新壞塊信息表。（2）針對目前流行嵌入式系統(tǒng)大部分采用FAT文件系統(tǒng)管理NAND Flash的情況,結(jié)合新一代大容量NAND Flash均支持的ca... 

【文章來源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：88 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

HT3001芯片封裝圖

第一章 緒論3踏入二十一世紀(jì)，隨著寫入速度、高容量及單位位元價(jià)格下降等因素，對聲音、影像等資料（例如MP3）的嵌入式儲(chǔ)存也成為NAND Flash發(fā)展的另一主流。過去幾年NAND Flash產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)高速成長的狀況，NAND Flash以外接記憶卡、內(nèi)建在裝置內(nèi)作為儲(chǔ)存媒介等方式，主要集中應(yīng)用在數(shù)字相機(jī)、移動(dòng)電話、隨身碟和MP3和PMP播放器。2006 年，三星開始向筆記本電腦廠商以及數(shù)碼設(shè)備廠商供應(yīng)容量達(dá) 32GB的NAND Flash, 可以預(yù)測，NAND Flash憑借其穩(wěn)定性、低功耗以及無噪音的優(yōu)良特性，將開始從超輕薄與超小型機(jī)種開始，逐步替代筆記本電腦的傳統(tǒng)硬盤[3]。NAND Flash在各類領(lǐng)域中的應(yīng)用需求趨勢如圖 1.3 和圖 1.4 所示。

音的優(yōu)良特性，將開始從超輕薄與超小型機(jī)種開始，逐步替代筆記本電腦的傳統(tǒng)硬盤[3]。NAND Flash在各類領(lǐng)域中的應(yīng)用需求趨勢如圖 1.3 和圖 1.4 所示。圖 1.3 NAND Flash 需求成長動(dòng)力


本文編號(hào)：2914976