<正>長江存儲4月13日在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。長江存儲表示,X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC 

【文章來源】：電子世界. 2020年08期 第4頁

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【參考文獻(xiàn)】：
碩士論文
[1]3D閃存閾值電壓獲取及應(yīng)用技術(shù)研究[D]. 陳肖鈺.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2020



本文編號：2912350