基于NAND Flash的固態(tài)盤（NAND固態(tài)盤）是一種以閃存芯片NAND Flash為存儲(chǔ)介質(zhì)的新型電子盤。NAND固態(tài)盤的有限編程/擦除次數(shù)取決于其內(nèi)部存儲(chǔ)介質(zhì)NAND Flash的有限編程/擦除次數(shù)（’rogram/Erase Cycles, P/Es）。NAND Flash的有限編程/擦除次數(shù)及限制性操作（如順序編程、異地更新和寫(xiě)前擦除）導(dǎo)致其壽命和存儲(chǔ)可靠性受限。隨著芯片制程降低,NAND Flash有限編程/擦除次數(shù)也在減少,從而降低了NAND Flash耐久性和rNAND固態(tài)盤的壽命。所以,建立準(zhǔn)確而全面評(píng)測(cè)NAND固態(tài)盤有限編程/擦除次數(shù)損耗的模型,并提出優(yōu)化NAND固態(tài)盤有限編程/擦除次數(shù)的新方法,具有重要的理論價(jià)值和實(shí)踐價(jià)值。（?）NAND Flash的編程角度,提出高精度NAND固態(tài)盤寫(xiě)放大研究模型。寫(xiě)放大用來(lái)評(píng)測(cè)多余編程操作NAND固態(tài)盤有限編程/擦除次數(shù)的損耗。針對(duì)當(dāng)前寫(xiě)放大模型存在可信性的問(wèn)題,本文提出一種高精度NAND固態(tài)盤寫(xiě)放大模型和測(cè)量方法（即PRB-Explorer）。該模型基于單個(gè)NAND Flash芯片上Ready/Busy （R/B）引腳信號(hào)和... 

【文章來(lái)源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：148 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 課題來(lái)源
    1.2 固態(tài)盤研究背景
    1.3 國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究現(xiàn)狀
    1.4 研究目的與意義
    1.5 論文組織
2 RB-Explorer：高精度固態(tài)盤寫(xiě)放大模型和測(cè)量方法
    2.1 引言
    2.2 高精度寫(xiě)放大模型和方法
    2.3 高精度寫(xiě)放大模型和測(cè)量方法的可信性評(píng)測(cè)
    2.4 高精度寫(xiě)放大模型和測(cè)量方法的典型應(yīng)用
    2.5 本章小結(jié)
3 Bamp：基于性能和能耗的固態(tài)盤行為放大模型
    3.1 引言
    3.2 固態(tài)盤行為放大模型依據(jù)
    3.3 固態(tài)盤行為放大模型
    3.4 固態(tài)盤行為放大模型有效性評(píng)測(cè)
    3.5 本章小結(jié)
4 DLSpace：一種高效分布式日志空間管理策略
    4.1 引言
    4.2 分布式日志空間管理策略
    4.3 分布式日志空間管理策略定量分析
    4.4 實(shí)驗(yàn)評(píng)測(cè)和分析
    4.5 本章小結(jié)
5 全文總結(jié)和進(jìn)一步工作展望
    5.1 全文總結(jié)
    5.2 進(jìn)一步工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄1 攻讀學(xué)位期間的主要成果
附錄2 固態(tài)盤四層并行性評(píng)測(cè)
    2.1 引言
    2.2 基于固態(tài)盤性能的四層并行性評(píng)測(cè)依據(jù)
    2.3 四層并行模型的驗(yàn)證



本文編號(hào)：2910090