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65nm工藝下基于RRAM的非易失性SRAM單元設(shè)計

發(fā)布時間:2020-10-21 19:08
   隨著可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、云計算及大數(shù)據(jù)應(yīng)用的快速發(fā)展,常關(guān)斷計算技術(shù)逐漸成為解決智能終端續(xù)航瓶頸的主要方向,而靜態(tài)隨機存儲器(Static Random Access Memory,SRAM)作為 SoC(System on Chip,SoC)芯片的核心部件在掉電后存在數(shù)據(jù)丟失的缺陷,為了滿足常關(guān)斷計算需求,非易失性SRAM(Non-Volatile Static Random Access Memory,NVSRAM)成為研究的熱點。RRAM(Resistance Random Access Memory,RRAM)因其具有良好的電學(xué)特性、面積小且與 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工藝良好兼容性等特點,在非易失性SRAM中表現(xiàn)出很強的競爭優(yōu)勢。本文將在先進(jìn)工藝下對基于RRAM的非揮發(fā)性SRAM存儲單元進(jìn)行研究。在考慮工藝波動的基礎(chǔ)上,分析了多種結(jié)構(gòu)設(shè)計方案。1)多閾值電壓結(jié)構(gòu):交叉耦合反相器具有不對稱的閾值電壓,系統(tǒng)上電時存儲節(jié)點的數(shù)據(jù)不再是隨機狀態(tài),接著通過恢復(fù)路徑對節(jié)點充放電來實現(xiàn)斷電前數(shù)據(jù)的恢復(fù)。2)差分?jǐn)?shù)據(jù)感知結(jié)構(gòu):交叉耦合反相器由位線供電,系統(tǒng)上電時通過對BL/BLB位線采用特殊的控制時序,使存儲節(jié)點數(shù)據(jù)達(dá)到預(yù)知狀態(tài),接著開啟恢復(fù)路徑,從而實現(xiàn)系統(tǒng)斷電前數(shù)據(jù)的恢復(fù)。這兩種結(jié)構(gòu)均采用了單邊節(jié)點接入RRAM的方式。分析對比了這兩種結(jié)構(gòu)性能,并進(jìn)行了結(jié)構(gòu)優(yōu)化,最終實現(xiàn)了一種新型非揮發(fā)性SRAM高可靠性存儲單元結(jié)構(gòu)。另外采用數(shù)據(jù)可預(yù)知恢復(fù)狀態(tài)的實現(xiàn)方法,構(gòu)建了一種適用于非揮發(fā)性SRAM系統(tǒng)的高可靠性控制機制,確保系統(tǒng)的可靠性操作。為系統(tǒng)優(yōu)化提供理論指導(dǎo),對我國物聯(lián)網(wǎng)快速發(fā)展具有深遠(yuǎn)的意義;赟MIC 65nm工藝節(jié)點大量仿真數(shù)據(jù)表明,本文提出的結(jié)構(gòu)能夠顯著提高數(shù)據(jù)的恢復(fù)率和恢復(fù)速度,更優(yōu)的讀寫靜態(tài)噪聲容限(Static Noise Margin,SNM),以及很大程度上降低了結(jié)構(gòu)的靜態(tài)和動態(tài)功耗。
【學(xué)位單位】:安徽大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TP333
【部分圖文】:

存儲器,非易失性


,器的不斷出現(xiàn),給我國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了變道超車的歷史發(fā)展機遇。因此,對??于非易失性SRAM的研究具有深遠(yuǎn)的意義[71。??1.1.2存儲器的分類與比較??存儲器一般可以分成兩大類:易失性和非易失性,如圖1-1所示。其中SRAM??和DRAM覓最常見的兩類易失性存儲器。非易失性存儲器的種類則有很多,其??中閃存(FLASH)波各領(lǐng)域廣泛的應(yīng)用,另外其他新型的非易失性存儲器包括??磁存儲器(Magnetoresistive?Random?Access?Memory,?MRAM)、鐵電存儲器??(FeiTodecti.ic?random?access?memo丨.y,FRAM)、相變存儲器(Phase?Random??Access?Memo丨?>?,PRAM)、阻變存儲器(RRAM)和非易失性靜態(tài)隨機存取存??儲器(NVSRAM)等[8|。其中,SRAM、DRAM、FLASH和FRAM是通過電容??的充放電來對數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲。而PRAM、MRAM和RRAM則是基于電阻的切換??來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。表丨-丨和表1-2是各類存儲器的優(yōu)缺點比較和參數(shù)比較。??MemorI)??

65nm工藝下基于RRAM的非易失性SRAM單元設(shè)計


平均7T1RNVSRAM結(jié)構(gòu)

65nm工藝下基于RRAM的非易失性SRAM單元設(shè)計


Gsr-aR結(jié)構(gòu)
【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前4條

1 秦嬌;;中國智能手機市場逐步轉(zhuǎn)向新型智能終端領(lǐng)域[J];世界電信;2015年11期

2 邢白靈;陳敏;于小利;;非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器國外專利研究進(jìn)展[J];科技與企業(yè);2015年13期

3 鄭贊;;新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應(yīng)用[J];電子產(chǎn)品世界;2007年01期

4 張浩;如何選擇非易失性SRAM[J];電子技術(shù);1998年10期


相關(guān)碩士學(xué)位論文 前6條

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3 任思偉;RRAM存儲單元設(shè)計[D];西安電子科技大學(xué);2013年

4 郭存壯;阻變存儲器電路設(shè)計[D];西安電子科技大學(xué);2012年

5 龍曉明;相變隨機存儲器的器件設(shè)計與軟件實現(xiàn)[D];華中科技大學(xué);2011年

6 徐雅男;90nm工藝高速低功耗SRAM的設(shè)計[D];復(fù)旦大學(xué);2010年



本文編號:2850488

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