低功耗三元內(nèi)容尋址存儲器設(shè)計
發(fā)布時間:2020-10-14 15:31
隨著因特網(wǎng)用戶數(shù)量的急劇增長,以及網(wǎng)絡(luò)實施應(yīng)用程序的興起亟需一種高速網(wǎng)絡(luò)。通訊介質(zhì)的傳輸速度已經(jīng)達到高速網(wǎng)絡(luò)的需求,制約網(wǎng)絡(luò)傳輸速度的關(guān)鍵在于通訊介質(zhì)之間的傳輸節(jié)點(路由器、交換機)的轉(zhuǎn)發(fā)速度。新的IPv6協(xié)議,要求更長的IP地址位數(shù)和更快的傳輸速率,因此設(shè)計出一種高速低功耗的轉(zhuǎn)發(fā)模塊來解決這一問題。 論文提出了一種基于三元內(nèi)容尋址存儲器(Ternary Content AddressableMemories)的芯片來解決地址查找和轉(zhuǎn)發(fā)的問題。TCAM是一種具有“位屏蔽”功能的硬件查找表,可以在一個時鐘周期內(nèi)實現(xiàn)大規(guī)模的查表運算,非常適合網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用環(huán)境。 為降低TCAM芯片的功耗,首先將512*144位芯片從整體上分割成大小為64*144位的8小塊,每一小塊都具備獨立操作的特性,大多數(shù)情況下只需要激活其中之一,而芯片系統(tǒng)集成時只要通過簡單連接就可以組成整體電路。TCAM的功耗主要消耗在了搜索操作上,論文又針對每一小塊進行架構(gòu)級和電路級的兩級優(yōu)化,在架構(gòu)級優(yōu)化中提出了搜索線分塊策略以及對匹配線進行預(yù)搜索、主搜索兩級搜索的方法降低功耗同時提高速度,在電路級優(yōu)化中提出了一種匹配線敏感放大器MLSA和一種電荷共享電路進一步降低了搜索功耗。此外論文還就TCAM中的優(yōu)先級編碼器進行了低功耗優(yōu)化,通過使用動態(tài)邏輯電路,盡可能地減小了搜索功耗之外的其他功耗。 通過使用Cadence IC50系統(tǒng)對設(shè)計的電路進行了仿真,取得了較好的結(jié)果。8*144位TCAM搜索一次的功耗為26.09mW,工作速度可達到62.5MHz。
【學(xué)位單位】:沈陽工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2009
【中圖分類】:TP333
【部分圖文】:
其中讀、寫操作與普通靜態(tài)RAM完全相同。 2.1.ZC^M的搜索操作CAM的主要應(yīng)用在于可實現(xiàn)快速的搜索一匹配操作,這種操作是通過圖2.2中的“搜索線” (searchline)、“匹配線” (matchline)和四個實現(xiàn)比較功能的晶體管Nl實現(xiàn)的,其搜索操作與讀、寫操作是完全獨立的。搜索操作主要分為三步:第兩條搜索線SU和SLlc先放電至GND;第二步匹配線ML被預(yù)充至VDD;從條步兩一一最后搜索關(guān)鍵字和它的反碼分別加在SLI和SLlc上,完成搜索操作。如果搜索關(guān)鍵字與SRAM單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)相同即SLI=bit,SLlc=bi吵那么兩條ML到GND的路徑都被關(guān)斷,匹配線ML仍然保持高電平表示“匹配”。否則如果搜索關(guān)鍵字與儲存數(shù)據(jù)不相符,則其中一條ML到GND的路徑就會把匹配線拉到低電平,表示“不匹配”。在匹配線預(yù)充階段之前將搜索線SLI和SLlc放電是為了保證所有預(yù)充路徑
圖2.3CAM搜索操作(a)匹配偽環(huán)匹配瑰.2.35創(chuàng)趕℃hOperationsofCAM(a)MatCh偽)Mi勻.atch假設(shè)靜態(tài)SRAM中存儲的數(shù)據(jù)是‘1’,那么此時V點電壓為‘1’vc點電壓為‘0,,當(dāng)搜索關(guān)鍵字為‘1’時,SLI二‘1’,SLle二‘0,,比較管Nl和N4截止,匹線ML電壓保持‘1’表示所搜索結(jié)果匹配;當(dāng)搜索關(guān)鍵字為‘0’時,SU二‘0’,c=‘1’比較管中Nl和NZ被同時打開形成電流通路將匹配線ML上預(yù)充的電荷掉,ML從‘1’變?yōu)椤?’,表示搜索結(jié)果不匹配,若當(dāng)靜態(tài)SRAM單元內(nèi)存儲數(shù)為‘0’并且搜索關(guān)鍵字為‘1’即不匹配時,N3和N4被同時把開,ML仍然被拉低電平,表示搜索結(jié)果不匹配。SRAM存儲‘1’時CAM的邏輯狀態(tài)如下表:表2.1SRAM存儲‘1’時CAM的邏輯狀態(tài)表
111111oooo非法(不使用)))圖中晶體管Nl一N4組成“或非”型TCAM的比較邏輯,當(dāng)TCAM單元的存儲數(shù)據(jù)為“o”(即BIBZ二10)時,圖2.5中的N2導(dǎo)通、N4截止,如果di二o,則sLi=o,SLZ=1,則Nl截止,N3導(dǎo)通,比較管兩側(cè)各有一個晶體管截止,因此比較管的整體是截止的表明“匹配”。如果di二1,則SLI二1
【引證文獻】
本文編號:2840851
【學(xué)位單位】:沈陽工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2009
【中圖分類】:TP333
【部分圖文】:
其中讀、寫操作與普通靜態(tài)RAM完全相同。 2.1.ZC^M的搜索操作CAM的主要應(yīng)用在于可實現(xiàn)快速的搜索一匹配操作,這種操作是通過圖2.2中的“搜索線” (searchline)、“匹配線” (matchline)和四個實現(xiàn)比較功能的晶體管Nl實現(xiàn)的,其搜索操作與讀、寫操作是完全獨立的。搜索操作主要分為三步:第兩條搜索線SU和SLlc先放電至GND;第二步匹配線ML被預(yù)充至VDD;從條步兩一一最后搜索關(guān)鍵字和它的反碼分別加在SLI和SLlc上,完成搜索操作。如果搜索關(guān)鍵字與SRAM單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)相同即SLI=bit,SLlc=bi吵那么兩條ML到GND的路徑都被關(guān)斷,匹配線ML仍然保持高電平表示“匹配”。否則如果搜索關(guān)鍵字與儲存數(shù)據(jù)不相符,則其中一條ML到GND的路徑就會把匹配線拉到低電平,表示“不匹配”。在匹配線預(yù)充階段之前將搜索線SLI和SLlc放電是為了保證所有預(yù)充路徑
圖2.3CAM搜索操作(a)匹配偽環(huán)匹配瑰.2.35創(chuàng)趕℃hOperationsofCAM(a)MatCh偽)Mi勻.atch假設(shè)靜態(tài)SRAM中存儲的數(shù)據(jù)是‘1’,那么此時V點電壓為‘1’vc點電壓為‘0,,當(dāng)搜索關(guān)鍵字為‘1’時,SLI二‘1’,SLle二‘0,,比較管Nl和N4截止,匹線ML電壓保持‘1’表示所搜索結(jié)果匹配;當(dāng)搜索關(guān)鍵字為‘0’時,SU二‘0’,c=‘1’比較管中Nl和NZ被同時打開形成電流通路將匹配線ML上預(yù)充的電荷掉,ML從‘1’變?yōu)椤?’,表示搜索結(jié)果不匹配,若當(dāng)靜態(tài)SRAM單元內(nèi)存儲數(shù)為‘0’并且搜索關(guān)鍵字為‘1’即不匹配時,N3和N4被同時把開,ML仍然被拉低電平,表示搜索結(jié)果不匹配。SRAM存儲‘1’時CAM的邏輯狀態(tài)如下表:表2.1SRAM存儲‘1’時CAM的邏輯狀態(tài)表
111111oooo非法(不使用)))圖中晶體管Nl一N4組成“或非”型TCAM的比較邏輯,當(dāng)TCAM單元的存儲數(shù)據(jù)為“o”(即BIBZ二10)時,圖2.5中的N2導(dǎo)通、N4截止,如果di二o,則sLi=o,SLZ=1,則Nl截止,N3導(dǎo)通,比較管兩側(cè)各有一個晶體管截止,因此比較管的整體是截止的表明“匹配”。如果di二1,則SLI二1
【引證文獻】
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條
1 朱寶峰;高速數(shù)據(jù)記錄及無線傳輸系統(tǒng)的研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2010年
本文編號:2840851
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