基于CPF的65納米高性能處理器平臺(tái)的低功耗物理設(shè)計(jì)
【學(xué)位授予單位】:上海交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2009
【分類號(hào)】:TP332
【圖文】:
這部分的比重會(huì)越來越大,在上一章的圖 1 中,非常形象的描繪了漏電流增加流 I leakage 主要分為四部分,如圖 3 所示,I1 是 CMOS 晶體管中源襯底之間的反向偏置電流,I2 是 CMOS 晶體管中源和漏極之間的載流子擴(kuò)散形成的亞閾值電流極注入源漏極的漏電流,I4 是由于門極氧化物泄漏導(dǎo)致的漏電流。無論器件是否,只要有電源供電,器件的漏電流將一直保持存在。
而言異步邏輯消耗較少的功耗。一般的門控時(shí)鐘技術(shù),現(xiàn)在的綜合工具都提供了支持,它們可以在一個(gè)模塊內(nèi)靠近時(shí)鐘頁(yè)點(diǎn)位置自動(dòng)插入門控時(shí)鐘單元,假設(shè)整個(gè)模塊處于工作模式,也可以有效降低內(nèi)部部分閑置寄存器可以關(guān)閉時(shí)鐘減少功耗。圖 4 告訴當(dāng) test 和 enable 都為 0 的時(shí)候,ck_out 的輸出也為這樣后面接的觸發(fā)器不會(huì)翻轉(zhuǎn),省下了這些觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)消耗的動(dòng)態(tài)功耗。
圖 5 層次化門控時(shí)鐘示意圖CG 就代表了門口時(shí)鐘單元(Clock Gating Cell),而這些門口時(shí)鐘單使能 Clock_En1 或者 Clock_En2 來控制不同時(shí)鐘域(Clock Doma口由模塊的使能信號(hào) Module_En1 至 Module_En10 來控制十個(gè)模需要在 RTL 代碼中體現(xiàn)出來。
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6 張s
本文編號(hào):2804579
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