高速圖像數(shù)據(jù)固態(tài)存儲(chǔ)器的研制
發(fā)布時(shí)間:2020-08-08 13:19
【摘要】:在航天測(cè)控領(lǐng)域,遙測(cè)系統(tǒng)針對(duì)傳統(tǒng)的壓力,溫度等物理量的測(cè)量已經(jīng)不能滿足測(cè)試要求,圖像測(cè)試技術(shù)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于航天測(cè)控系統(tǒng)。利用圖像的高實(shí)時(shí)性及現(xiàn)場(chǎng)特征,可以實(shí)現(xiàn)還原真實(shí)的飛行過(guò)程中的飛行狀態(tài)。針對(duì)圖像信號(hào)傳輸?shù)母咚?大容量數(shù)據(jù)特征,對(duì)圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)的大容量固態(tài)存儲(chǔ)器成為測(cè)控系統(tǒng)的迫切需要。本文所設(shè)計(jì)的圖像固態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,能夠?qū)ο到y(tǒng)要求的高碼流圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)存儲(chǔ),在事后能夠?qū)?shù)據(jù)從存儲(chǔ)模塊讀出,進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)解碼和圖像還原。 本文所設(shè)計(jì)的圖像數(shù)據(jù)固態(tài)存儲(chǔ)器,使用Xilinx公司生產(chǎn)的Sprtan-3AN系列XC3S200AN型號(hào)FPGA為中控邏輯單元,使用三星公司生產(chǎn)的K9WBG08U1M型Flashmemory作為存儲(chǔ)模塊的核心存儲(chǔ)芯片,搭建了固態(tài)存儲(chǔ)器的硬件平臺(tái)。來(lái)對(duì)圖像數(shù)據(jù)固態(tài)存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)的可行性進(jìn)行驗(yàn)證。 本文針對(duì)圖像數(shù)據(jù)固態(tài)存儲(chǔ)器的工作模式及方案設(shè)計(jì),詳細(xì)介紹了固態(tài)存儲(chǔ)器的硬件平臺(tái)及中控邏輯模塊FPGA的時(shí)序設(shè)計(jì)。首先針對(duì)國(guó)內(nèi)外固態(tài)存儲(chǔ)器的研究特點(diǎn),提出了固態(tài)存儲(chǔ)器的總體設(shè)計(jì)方案,包括圖像采集模塊,FLASH存儲(chǔ)模塊、高速緩存模塊以及系統(tǒng)控制模塊的設(shè)計(jì)。其中FLASH存儲(chǔ)模塊與高速緩存模塊是整個(gè)固態(tài)存儲(chǔ)器工作的關(guān)鍵。在文章的最后對(duì)系統(tǒng)調(diào)試以及可靠性設(shè)計(jì)及測(cè)試方面做了系統(tǒng)介紹。針對(duì)設(shè)計(jì)上的一些技術(shù)難點(diǎn)和調(diào)試過(guò)程中的問(wèn)題,作者提出了自己的實(shí)際建議和解決辦法。
【學(xué)位授予單位】:中北大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類號(hào)】:TP333
【圖文】:
圖1.1 K9WBG08U1M存儲(chǔ)陣列組織形式圖三星公司生產(chǎn)的K9WBG08U1M型Flashmemory的內(nèi)部邏輯結(jié)構(gòu)如圖 1.2 所示。WBG08U1M型Flashmemory以頁(yè)為單位讀寫(xiě)數(shù)據(jù),而以塊為單位擦除數(shù)據(jù)。按照樣的組織方式可以形成所謂的三類地址: Column Address(列地址)、 Pagedress (頁(yè)地址)、 Block Address(塊地址)。另外,再加上讀寫(xiě)以及擦除的令操作,對(duì)于K9WBG08U1M型Flashmemory來(lái)講,地址和命令只能在I/O[7:0]上傳,數(shù)據(jù)寬度是 8 位[39]。
圖1.1 K9WBG08U1M存儲(chǔ)陣列組織形式圖三星公司生產(chǎn)的K9WBG08U1M型Flashmemory的內(nèi)部邏輯結(jié)構(gòu)如圖 1.2 所示。K9WBG08U1M型Flashmemory以頁(yè)為單位讀寫(xiě)數(shù)據(jù),而以塊為單位擦除數(shù)據(jù)。按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類地址: Column Address(列地址)、 PageAddress (頁(yè)地址)、 Block Address(塊地址)。另外,再加上讀寫(xiě)以及擦除的命令操作,對(duì)于K9WBG08U1M型Flashmemory來(lái)講,地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞,數(shù)據(jù)寬度是 8 位[39]。
接口時(shí)序如下圖 2.1圖 2.1 圖像信號(hào)接收接口時(shí)序圖2.1.2 供電、控制信號(hào)及記錄時(shí)間技術(shù)指標(biāo)(1)供電電壓及電流要求:供電電壓:28V±3V。供電電流:耗電電流小于 300mA;(2)要求固態(tài)記錄器配備 DC/DC 變換器,并且輸入輸出均具有濾波電路,確保系統(tǒng)10
本文編號(hào):2785613
【學(xué)位授予單位】:中北大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類號(hào)】:TP333
【圖文】:
圖1.1 K9WBG08U1M存儲(chǔ)陣列組織形式圖三星公司生產(chǎn)的K9WBG08U1M型Flashmemory的內(nèi)部邏輯結(jié)構(gòu)如圖 1.2 所示。WBG08U1M型Flashmemory以頁(yè)為單位讀寫(xiě)數(shù)據(jù),而以塊為單位擦除數(shù)據(jù)。按照樣的組織方式可以形成所謂的三類地址: Column Address(列地址)、 Pagedress (頁(yè)地址)、 Block Address(塊地址)。另外,再加上讀寫(xiě)以及擦除的令操作,對(duì)于K9WBG08U1M型Flashmemory來(lái)講,地址和命令只能在I/O[7:0]上傳,數(shù)據(jù)寬度是 8 位[39]。
圖1.1 K9WBG08U1M存儲(chǔ)陣列組織形式圖三星公司生產(chǎn)的K9WBG08U1M型Flashmemory的內(nèi)部邏輯結(jié)構(gòu)如圖 1.2 所示。K9WBG08U1M型Flashmemory以頁(yè)為單位讀寫(xiě)數(shù)據(jù),而以塊為單位擦除數(shù)據(jù)。按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類地址: Column Address(列地址)、 PageAddress (頁(yè)地址)、 Block Address(塊地址)。另外,再加上讀寫(xiě)以及擦除的命令操作,對(duì)于K9WBG08U1M型Flashmemory來(lái)講,地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞,數(shù)據(jù)寬度是 8 位[39]。
接口時(shí)序如下圖 2.1圖 2.1 圖像信號(hào)接收接口時(shí)序圖2.1.2 供電、控制信號(hào)及記錄時(shí)間技術(shù)指標(biāo)(1)供電電壓及電流要求:供電電壓:28V±3V。供電電流:耗電電流小于 300mA;(2)要求固態(tài)記錄器配備 DC/DC 變換器,并且輸入輸出均具有濾波電路,確保系統(tǒng)10
【引證文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前1條
1 馮妮;張會(huì)新;郭錚;;雙通道高速圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J];計(jì)算機(jī)測(cè)量與控制;2012年09期
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前6條
1 王帥;某系統(tǒng)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)[D];中北大學(xué);2011年
2 丁海飛;基于雙平面技術(shù)的固態(tài)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];中北大學(xué);2012年
3 陳嫣然;基于雙模通訊的數(shù)字量變換器測(cè)試臺(tái)系統(tǒng)研究[D];中北大學(xué);2012年
4 鄭燕露;飛控?cái)?shù)據(jù)記錄器及單元測(cè)試裝置的研制[D];中北大學(xué);2012年
5 何亓;高可靠性遙測(cè)數(shù)據(jù)記錄器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];中北大學(xué);2012年
6 白先民;基于多模式的數(shù)據(jù)記錄器地面測(cè)試裝置的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];中北大學(xué);2012年
本文編號(hào):2785613
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