低功耗微處理器體系結構的研究與設計
【學位授予單位】:西北工業(yè)大學
【學位級別】:博士
【學位授予年份】:2002
【分類號】:TP332
【圖文】:
第一章緒論圖1一1是IBS在2000年7月份對近幾年來芯片生產(chǎn)采用工藝的統(tǒng)計和對未來幾年的估計,可以看出芯片加工的主流工藝將越來越窄。圖1一1芯片生產(chǎn)工藝對應產(chǎn)量的統(tǒng)計和預期隨著芯片面積呈幾何指數(shù)的增加,芯片內部的電場效應將越發(fā)明顯,為了避免微小器件內的這種電場效應,同時也為了防止芯片過熱,芯片的工作電壓也會進一步下降,預計到2007年,芯片的工作電壓可以降低到0.9V。半導體工藝的飛速發(fā)展帶來了芯片密度的增加、電路工作速度的提高,但這這些因素使得集成電路功耗的明顯增加,因此芯片的散熱措施也不斷更新,從改變封裝形式到添加散熱裝置
第一章緒論圖1一1是IBS在2000年7月份對近幾年來芯片生產(chǎn)采用工藝的統(tǒng)計和對未來幾年的估計,可以看出芯片加工的主流工藝將越來越窄。圖1一1芯片生產(chǎn)工藝對應產(chǎn)量的統(tǒng)計和預期隨著芯片面積呈幾何指數(shù)的增加,芯片內部的電場效應將越發(fā)明顯,為了避免微小器件內的這種電場效應,同時也為了防止芯片過熱,芯片的工作電壓也會進一步下降,預計到2007年,芯片的工作電壓可以降低到0.9V。半導體工藝的飛速發(fā)展帶來了芯片密度的增加、電路工作速度的提高,但這這些因素使得集成電路功耗的明顯增加,因此芯片的散熱措施也不斷更新,從改變封裝形式到添加散熱裝置
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【引證文獻】
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本文編號:2757892
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