【摘要】： 在半導體器件中,閃存存儲器已經(jīng)滲透到我們生活的各個方面。然而隨著器件尺寸的持續(xù)減小,閃存存儲器自身存在的一種缺陷——隨機電報信號噪聲(RTS)就會明顯的表現(xiàn)出來,甚至會影響到我們讀取信息的正確性。論文旨在研究隨機電報信號噪聲的產(chǎn)生原理,通過實驗從量的角度將隨機電報信號噪聲表示出來,測出其大小,找出其特性,也研究了外界條件對隨機電報信號噪聲的影響。 本文通過對閃存存儲器的基本結(jié)構(gòu)以及工作原理的研究來分析隨機電報噪聲的產(chǎn)生原理;通過隨機電報信號噪聲的幅度和隨機電報信號噪聲幅度的快速傅立葉轉(zhuǎn)換1/f噪聲來研究隨機電報信號噪聲。隨機電報信號噪聲幅度可以通過漏極電流擾動或者門極電壓變化來表示,然后將其結(jié)果進行快速傅立葉轉(zhuǎn)換就可以得到我們所需要的1/f噪聲。 本文主要運用LabVIEW編程軟件根據(jù)需要來編譯若干個子程序,從而控制半導體參數(shù)分析器,利用半導體參數(shù)分析器來配置閃存存儲器各個極點的電壓,并進行漏極電流和門極電壓擾動的測量。通過大量實驗研究,獲得了用漏極電流和門極電壓擾動表示的隨機電報信號噪聲幅度的實驗結(jié)果,并與理論結(jié)果進行了對比分析。本文還研究了不同溝道長度的閃存存儲器以及不同寫入/擦除次數(shù)的閃存存儲器對隨機電報信號噪聲的影響,實驗結(jié)果與理論相符。
【學位授予單位】：西安電子科技大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2009
【分類號】：TP333.2

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