【摘要】： 隨著工藝尺寸和電源電壓的減小、存儲(chǔ)器中多位翻轉(zhuǎn)(MBUs)發(fā)生的幾率越來(lái)越大,成為影響存儲(chǔ)器可靠性的重要因素。內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器(CAM),是一種特殊的存儲(chǔ)器,除具有普通存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)功能外,還能在一個(gè)周期內(nèi)搜索整個(gè)存儲(chǔ)器,并給出搜索數(shù)據(jù)的地址,常用于cache、路由查找表等搜索密集型領(lǐng)域。CAM采用SRAM作為存儲(chǔ)單元,并且存在大的地反射噪聲,使得CAM比SRAM更易受到軟錯(cuò)誤的影響,因此研究CAM的抗多位翻轉(zhuǎn)加固技術(shù)具有重要意義。 由于CAM結(jié)構(gòu)的特殊性,不適合直接采用ECC方法對(duì)其進(jìn)行加固。本文采用電流探測(cè)思想,提出一種CAM抗多位翻轉(zhuǎn)加固方法,此方法采用內(nèi)建電流探測(cè)器(BICS)進(jìn)行錯(cuò)誤的檢測(cè)和列定位,采用多位奇偶校驗(yàn)碼完成錯(cuò)誤行定位,并將糾錯(cuò)電路和讀寫(xiě)控制電路結(jié)合完成糾錯(cuò)操作。 本文首先設(shè)計(jì)了64x64 bits的常規(guī)CAM,然后分別設(shè)計(jì)了BICS電路、多位奇偶校驗(yàn)碼的編碼解碼電路及糾錯(cuò)電路,最后根據(jù)提出的加固方法將各子電路結(jié)合起來(lái),完成抗多位翻轉(zhuǎn)的CAM的設(shè)計(jì),并對(duì)整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行仿真和分析,仿真結(jié)果表明,該方法能夠?qū)AM中發(fā)生的任意4位及以下的錯(cuò)誤進(jìn)行檢測(cè)和糾錯(cuò),錯(cuò)誤探測(cè)延遲1.1ns;在0.18μm工藝下完成了主要電路的版圖設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)結(jié)果表明整體面積增加小于13%。以較小的性能和面積消耗實(shí)現(xiàn)了CAM抗多位翻轉(zhuǎn)的加固。
【學(xué)位授予單位】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2010
【分類(lèi)號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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1 劉艷;SRAM中新型結(jié)構(gòu)的靈敏放大器及地址譯碼器的設(shè)計(jì)[D];合肥工業(yè)大學(xué);2002年

本文編號(hào)：2739196