【摘要】： 隨著信息技術(shù)的發(fā)展，設(shè)計(jì)越來越復(fù)雜，給ASIC芯片的生產(chǎn)帶來比較大的挑戰(zhàn)，特別是芯片的管腳逐漸增加，降低了芯片的成品率。如何盡早地發(fā)現(xiàn)芯片生產(chǎn)過程中造成的缺陷已成為一個(gè)棘手的問題，需要一種好的測試方法來解決這個(gè)問題以縮短推向市場的時(shí)間。嵌入式存儲(chǔ)器是SOC系統(tǒng)中集成密度最高的器件，而存儲(chǔ)器又是對制造過程中存在的缺陷最敏感的器件之一，各種類型的嵌人式存儲(chǔ)器在當(dāng)前的SOC設(shè)計(jì)中被廣泛應(yīng)用，占用了SOC系統(tǒng)大部分面積。為確保存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的可靠性，針對存儲(chǔ)器做迅速而高效的測試是不可或缺的，因此如何對嵌入在SOC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器進(jìn)行完備的測試成為急需解決的課題。 本文的研究即是針對SOC系統(tǒng)中的嵌入式存儲(chǔ)器的可測性設(shè)計(jì)問題進(jìn)行的，主要包括了以下幾方面的工作： 首先討論了SOC系統(tǒng)尤其是其中的嵌入式存儲(chǔ)器的可測性的重要性和主要的測試方法，并對這幾種測試方法的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行比較和總結(jié)，進(jìn)而得出MBIST是當(dāng)前嵌入式存儲(chǔ)器測試最主流最高效的方法的結(jié)論。 然后針對SOC系統(tǒng)中常用的SRAM存儲(chǔ)器介紹了MBIST的概念，并結(jié)合SRAM結(jié)構(gòu)中存在的各種故障模型討論了現(xiàn)今MBIST中應(yīng)用最為廣泛的March(齊步)算法以及March算法的測試原理。在此基礎(chǔ)之上，本文設(shè)計(jì)了一個(gè)基于有限狀態(tài)機(jī)的可編程MBIST電路，此MBIST電路可以根據(jù)用戶的選擇實(shí)現(xiàn)多種March算法，為MBIST的移植和復(fù)用提供了靈活性。 本文在最后針對傳統(tǒng)March算法難以測試SRAM開路故障的問題提出了一種稱為PDWTM(預(yù)放電寫入測試模式)的可測性設(shè)計(jì)方法，通過增加少數(shù)的幾個(gè)門，使得SRAM存儲(chǔ)器在幾乎不增加外部附加邏輯的基礎(chǔ)上能跟原有的基于March算法的MBIST電路結(jié)合，很好的測試出其中的開路故障。文中通過HSPICE對SRAM故障模型的仿真，顯示了PDWTM方法在測試靈敏度和測試時(shí)間等方面相比于傳統(tǒng)方法的優(yōu)勢。
【學(xué)位授予單位】：浙江大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2007
【分類號】：TP333
【圖文】：

oPeration為4，指小當(dāng)前的操作是wo，因此是按地址升序進(jìn)行’‘纂0操作。圖14圖14顯示了MarchC一算法的在完成第一個(gè)March元素轉(zhuǎn)向第二個(gè)March元素的情況。如圖所示，在最高位地址ff上操作完wo(operation=4)，地址隨即轉(zhuǎn)換成00，并在00地址上J卜始:o(operation=2)操作和wl(operation=5)操作。當(dāng)完成了對00地址的:O和wl，地址遞增，并在每個(gè)地址__仁都交替的順序執(zhí)行ro和wl操作，從而執(zhí)、示了MarehC一的第二個(gè)Mareh元素t(ro，wl)。圖15

完好存儲(chǔ)單元執(zhí)行延遲測試的仿真波形

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本文編號：2725904