【摘要】： 隨著便攜式電子設(shè)備的不斷普及,人們對于高密度、高速度、低功耗以及低成本的非揮發(fā)存儲器的需求也在與日俱增。目前,Flash仍是非揮發(fā)存儲技術(shù)的主流,占據(jù)了非揮發(fā)存儲器市場約90%的份額,但隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)代的不斷推進(jìn),Flash遇到了越來越多的瓶頸問題,比如浮柵厚度不能隨著器件尺寸的縮小而無限制地減薄。此外,Flash的其它技術(shù)缺點(diǎn)也限制了其應(yīng)用,如操作電壓高、寫入速度慢等。這就迫使人們尋找性能更為優(yōu)越的下一代非揮發(fā)存儲技術(shù),比如,MRAM(磁阻存儲器)、FeRAM(鐵電存儲器)、PCM(相變存儲器,又稱PRAM)等,然而這些存儲器又都各自存在著各自的缺點(diǎn)。 基于金屬氧化物的電阻存儲器RRAM由于其結(jié)構(gòu)簡單、成分精確可控、與邏輯工藝兼容等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是最具潛力的下一代非揮發(fā)存儲技術(shù)。然而,電阻存儲器的研發(fā)還只是處于起步階段,對它的電學(xué)性能可靠性以及測試系統(tǒng)所引發(fā)的一系列可靠性問題的研究還有待進(jìn)一步地深入展開。 本文系統(tǒng)研究了基于CuxO薄膜的電阻存儲器的電學(xué)和測試方面的可靠性問題,并分析了這些可靠性問題的產(chǎn)生原因,同時提出了相應(yīng)的解決方案。首先,本文針對RRAM數(shù)據(jù)保持能力(Data Retention)的電學(xué)性能可靠性問題展開了研究,還提出了RRAM的一種失效機(jī)理模型。接著,本文研究了RRAM電學(xué)測試過程中SET鉗制電流裝置所引發(fā)的RRAM可靠性問題,并首次通過自建的鉗制電流捕捉系統(tǒng)觀察到了SET鉗制電流過沖現(xiàn)象。最后,對全文進(jìn)行了總結(jié)論述,并對RRAM存儲器的發(fā)展作了展望。
【學(xué)位授予單位】：復(fù)旦大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2010
【分類號】：TP333

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

1 錢聰;納米硅在SIMOX材料抗輻照加固中的應(yīng)用研究[D];中國科學(xué)院研究生院（上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所）;2007年

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本文編號：2699363