有機場效應(yīng)晶體管(OFET)型浮柵存儲器的研制
【圖文】:
改變器件內(nèi)建電場,使得器件在同一讀取電壓下具有兩個不同的溝電壓,對不同的溝道電流和閾值電壓的大小進行數(shù)據(jù)區(qū)分,對應(yīng)二”和“1”來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。本論文的主要研究就是基于 OFET 結(jié)構(gòu)制。FET 型浮柵存儲器的研究背景OFET 型浮柵存儲器的研究進展ahng[12]等在 1967 年制備出了首個非易失性浮柵存儲器,此后“浮柵用在無機存儲器件中,直至 2002 年才進入有機半導(dǎo)體存儲器rush[13]等在 2003 年使用亞苯基-噻吩低聚物(Mixed Phenylene Thmer)作活性層,在兩層玻璃樹脂間淀積金(Au)作為浮柵層制備了構(gòu)的有機半導(dǎo)體存儲器,如圖 1-1 所示。研究發(fā)現(xiàn)位于半導(dǎo)體/電介儲電荷對器件的存儲起主要作用,該結(jié)論引起了人們對 OFET 型浮發(fā)熱潮。
蘭州大學碩士學位論文 有機場效應(yīng)晶體管(OFET)型浮柵存儲器的研特性良好。Li[24]等在柔性襯底上使用高遷移率的 n 型半導(dǎo)體與高 k 絕緣材料制備出了在低工作電壓下高遷移率和長保持時間的存儲器。隨著 OFET 型浮柵存儲器的發(fā)展,因為簡單的溶液處理技術(shù)、優(yōu)異的物理和化學性質(zhì)、三維(3D)堆疊能力以及低成本等優(yōu)勢,二維材料在浮柵存儲器的研究中引起了廣泛的關(guān)注,特別是石墨烯(Graphene)和二硫化鉬(Molybdenudisulfide,簡稱 MoS2)被認為是傳統(tǒng)半導(dǎo)體有前途的替代品[25-27]。2014 年,Kang[2等成功使用化學液相剝離法制備的二硫化鉬作浮柵,P3HT 的氯苯溶液作為有機半導(dǎo)體層,PMMA 和 PS 分別作為柵絕緣層和隧穿層,制備了保持時間達十年之久的 OFET 型浮柵存儲器,如圖 1-5 所示。
【學位授予單位】:蘭州大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:TP333;TN386
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