【摘要】：近30多年來,CdSe納米晶以其尺寸相關(guān)的光電學(xué)性質(zhì)和較高的熒光效率吸引了國內(nèi)外眾多科研工作者。本論文主要是通過數(shù)學(xué)建模的方式對(duì)膠體CdSe量子點(diǎn)的合成工藝進(jìn)行總結(jié),并以此為基礎(chǔ),制備高質(zhì)量的CdSe量子點(diǎn),將其應(yīng)用在量子點(diǎn)墨水噴墨打印技術(shù)中,制備高效益的量子點(diǎn)顯示背板。1.第二章中我們通過實(shí)驗(yàn)確定,在合成膠體CdSe量子點(diǎn)的過程中,配體(油酸、油胺)的添加量,成核溫度和反應(yīng)時(shí)間是影響CdSe量子點(diǎn)尺寸的最重要的因素�；诖�,我們分別研究了油酸、油胺、成核溫度和反應(yīng)時(shí)間單獨(dú)對(duì)CdSe量子點(diǎn)尺寸的影響,最終對(duì)所得的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)學(xué)建模,得到CdSe量子點(diǎn)尺寸與油酸、油胺、成核溫度和反應(yīng)時(shí)間的函數(shù)關(guān)系。當(dāng)需要合成特定尺寸的CdSe量子點(diǎn)時(shí),我們可以憑借所得的數(shù)學(xué)模型快速的確定合成所需的具體實(shí)驗(yàn)條件,這對(duì)膠體CdSe量子點(diǎn)的合成具有重要的借鑒意義。2.在第三章中,我們利用第二章得到的合成CdSe量子點(diǎn)的具體路線,合成高質(zhì)量的CdSe量子點(diǎn),通過對(duì)其表面進(jìn)行Zn_xCd_(1-x)S合金的包覆,以及表面缺陷的處理,獲得了高質(zhì)量的分別發(fā)綠光和紅光的CdSe-Zn_xCd_(1-x)S納米晶。接著再在其表面生長一定厚度的ZnS殼層,大大提高了納米晶的光、熱穩(wěn)定性。將得到高穩(wěn)定性、高效率的CdSe-Zn_xCd_(1-x)-ZnS納米晶,分散到調(diào)制好一定黏度、表面張力、沸點(diǎn)的混合溶劑中,便得到高質(zhì)量的CdSe量子點(diǎn)墨水。所得墨水可以直接用于量子點(diǎn)墨水噴墨打印,將其打印到設(shè)計(jì)好的基板上,獲得高效率的量子點(diǎn)白光背板,可以用于量子點(diǎn)液晶顯示器。
【圖文】：

隨著納米晶幾何尺寸的減小，平動(dòng)能快速增加。只考慮第一激發(fā)態(tài)發(fā)能可以用式（1.2.1-1）表示：激子 體相 激子（電子 空穴） （1.2這就是量子限域效應(yīng)公式，在 20 世紀(jì) 80 年代初由 Brus 等人[19]提出的項(xiàng)表示納米晶中激子的最低激發(fā)態(tài)的能量差，也就是我們通常說的第一項(xiàng)是半導(dǎo)體晶體體相的的帶隙，第二項(xiàng)是電子-空穴結(jié)合在一起的作用能，第三項(xiàng)則是表現(xiàn)量子限域效應(yīng)的半導(dǎo)體納米晶激子動(dòng)能項(xiàng)。的 h 為普朗克常量，電子和空穴分別代表電子和空穴的有效質(zhì)量，米晶的幾何半徑（納米晶被近似為球形）。

圖 1.2 CdSe 量子點(diǎn)的表面原子比例與其粒徑的關(guān)系dSe 量子點(diǎn)的研究進(jìn)展Se 量子點(diǎn)是一種常見的 II-VI 族半導(dǎo)體納米晶，其體相能隙為 1.半徑為 5.0 nm,屬于直接帶隙半導(dǎo)體材料。目前，雖然還沒能發(fā)展半導(dǎo)體量子點(diǎn)合成化學(xué)的理論模型，但是半導(dǎo)體量子點(diǎn)的合成化學(xué)當(dāng)長足的進(jìn)步[30-33]，人們已經(jīng)可以很好的控制尺寸與尺寸分布以及高質(zhì)量的 CdSe 量子點(diǎn)具有尺寸相關(guān)的光電學(xué)性質(zhì)，較高的熒光量光穩(wěn)定性等，被廣泛應(yīng)用在光電器件，光電催化，生物成像等領(lǐng)dSe 量子點(diǎn)的合成過去 30 多年的研究過程中，化學(xué)合成始終是半導(dǎo)體量子點(diǎn)最活躍
【學(xué)位授予單位】：吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2019
【分類號(hào)】：O471.1;TP334.83

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本文編號(hào)：2671155