分簇超標量處理器關鍵技術研究
【圖文】:
圖 1-1 ITRS 對半導體業(yè)的預測[2]Figure 1-1 ITRS product technology trend[2]圖 1-2 單個周期內能訪問的芯片面積[6]Figure 1-2 Fraction of chip reached in one clock[6]ll:工藝水平的提高可以讓單芯片集成更多的晶,同時也意味著更大的動態(tài)功耗。另外,連線為了芯片功耗的重要組成部分。而經濟因素、
- 2 -圖 1-2 單個周期內能訪問的芯片面積[6]Figure 1-2 Fraction of chip reached in one clock[6]:工藝水平的提高可以讓單芯片集成更多的,同時也意味著更大的動態(tài)功耗。另外,連線為了芯片功耗的重要組成部分。而經濟因素、芯片散熱技術等多方面的限制,為每個芯片定導體工業(yè)協(xié)會(Semiconductor Industry Asso耗的預計?梢钥闯鎏幚砥髦性试S的功耗并不律。如何在功耗約束下到達性能目標,成為微
【學位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學
【學位級別】:博士
【學位授予年份】:2009
【分類號】:TP332
【相似文獻】
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3 倪e
本文編號:2652930
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