分簇超標(biāo)量處理器關(guān)鍵技術(shù)研究
【圖文】:
圖 1-1 ITRS 對(duì)半導(dǎo)體業(yè)的預(yù)測(cè)[2]Figure 1-1 ITRS product technology trend[2]圖 1-2 單個(gè)周期內(nèi)能訪問的芯片面積[6]Figure 1-2 Fraction of chip reached in one clock[6]ll:工藝水平的提高可以讓單芯片集成更多的晶,同時(shí)也意味著更大的動(dòng)態(tài)功耗。另外,連線為了芯片功耗的重要組成部分。而經(jīng)濟(jì)因素、
- 2 -圖 1-2 單個(gè)周期內(nèi)能訪問的芯片面積[6]Figure 1-2 Fraction of chip reached in one clock[6]:工藝水平的提高可以讓單芯片集成更多的,同時(shí)也意味著更大的動(dòng)態(tài)功耗。另外,連線為了芯片功耗的重要組成部分。而經(jīng)濟(jì)因素、芯片散熱技術(shù)等多方面的限制,為每個(gè)芯片定導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Industry Asso耗的預(yù)計(jì)。可以看出處理器中允許的功耗并不律。如何在功耗約束下到達(dá)性能目標(biāo),成為微
【學(xué)位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2009
【分類號(hào)】:TP332
【相似文獻(xiàn)】
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3 倪e
本文編號(hào):2652930
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