【摘要】：隨著芯片集成度越來越高,容量要求越來越大,使得存儲器在集成電路中所占面積比例越來越大,存儲器對于系統(tǒng)性能的影響也越來越大,以至于存儲器性能的提高成為一個極大的挑戰(zhàn)。近年來,靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的低功耗和快速數(shù)據(jù)存取的特點使其發(fā)展迅猛,如今SRAM尤其是高速SRAM在通訊領(lǐng)域的各項基礎(chǔ)設(shè)施和通訊終端設(shè)備中被廣泛應(yīng)用。靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)促進了當(dāng)今的高端便攜消費電子產(chǎn)品熱潮,但同時這也對SRAM的性能提出了更高的要求。所以對于大容量、高密度、高速度、低電壓、低功耗和高可靠性的靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的研究和設(shè)計具有重要的意義和價值。 本文通過分析靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)在當(dāng)今集成電路設(shè)計中現(xiàn)狀及發(fā)展,基于VLSI實驗室的多個SRAM設(shè)計項目,研究了SRAM設(shè)計和實現(xiàn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)。 本文首先分析了各種不同結(jié)構(gòu)的SRAM基本存儲單元的原理及特點,以及不同種類的SRAM電路結(jié)構(gòu)及其特征,提出了它們的應(yīng)用對于SRAM電路性能的影響。細化地研究了在SRAM電路設(shè)計過程中為提高芯片性能,需要特別設(shè)計的電路關(guān)鍵組成部分。提出SRAM全定制設(shè)計和實現(xiàn)的方法,并且研究了SRAM芯片設(shè)計過程中電路及版圖的各種不同的仿真驗證方法。最后研究了為提高SRAM芯片的可靠性和性能,在版圖物理實現(xiàn)過程中可采用的方法和工藝。
【圖文】：

第二章 靜態(tài)隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)與工作原理半導(dǎo)體存儲器分為很多種類，但是它們的總體結(jié)構(gòu)基本相同，，不同存主要區(qū)別在于存儲單元的結(jié)構(gòu)和功能。存儲器按功能分為如圖 2-1 所同時這些存儲器根據(jù)電路結(jié)構(gòu)以及數(shù)據(jù)存取方式的不同，又被分為異同步存儲器，單端口存儲器和雙端口存儲器，以及先入先出 FIFO 存儲儲器有如此豐富的種類，但是它們的總體電路結(jié)構(gòu)框圖是基本一致的要不同點在于其工作環(huán)境以及存儲單元的差別。本章通過對 SRAM 的介紹了存儲器電路的結(jié)構(gòu)和工作原理，并深入研究了不同的 SRAM 存構(gòu)與工作原理，討論了不同電路結(jié)構(gòu)的 SRAM 結(jié)構(gòu)。

存儲器的基本結(jié)構(gòu)示意圖
【學(xué)位授予單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2011
【分類號】：TP333.8

【參考文獻】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 莫大康;;全球存儲器的風(fēng)險剖析[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;2007年07期

2 陳質(zhì)冉;張曉林;;高速SRAM編譯器的設(shè)計[J];電子測量技術(shù);2007年01期

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相關(guān)碩士學(xué)位論文 前2條

1 張小平;CMOS集成電路的抗輻射分析及設(shè)計[D];西安理工大學(xué);2003年

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本文編號：2630100