發(fā)布時(shí)間：2020-04-08 22:24

【摘要】：隨著航天技術(shù)的高速發(fā)展和新型武器裝備的制造水平的提高,裝備的性能不斷地提升,越來(lái)越多的集成電路被應(yīng)用到這些系統(tǒng)中去,而在高端設(shè)備中起著核心控制作用的系統(tǒng)都需要高可靠性存儲(chǔ)器作為重要的部件。半導(dǎo)體非揮發(fā)性存儲(chǔ)器因?yàn)槠渚哂械綦娙阅鼙３中畔⒌奶匦远蔀橹匾碾娮悠骷�。隨著電路集成度的提高,電子器件的集成度和尺寸對(duì)空間輻射的敏感度也正在發(fā)生著變化。在新型武器的裝備上,存儲(chǔ)器芯片的抗輻射能力變得非常的重要。論文課題來(lái)源于單位研制的項(xiàng)目,本論文是在對(duì)此類產(chǎn)品進(jìn)行深入研究的基礎(chǔ)上形成的,對(duì)于抗輻照MTM存儲(chǔ)器研究具有一定的參考意義。論文介紹了MTM反熔絲的存儲(chǔ)器國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀,MTM反熔絲基本結(jié)構(gòu),存儲(chǔ)單元基本結(jié)構(gòu),電路工作原理;介紹了電路邏輯結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝加工的技術(shù)手段。介紹了輻照機(jī)理的研究,對(duì)電路的抗輻照措施進(jìn)行了說(shuō)明。首先完成了MTM反熔絲結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝加工,并通過(guò)試驗(yàn),檢驗(yàn)了反熔絲單元編程前、編程后的特性,然后設(shè)計(jì)了存儲(chǔ)器單元,通過(guò)對(duì)可靠性和電路面積的權(quán)衡,確定了存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu),并完成了存儲(chǔ)器讀、寫等模塊電路,結(jié)合電路仿真技術(shù),設(shè)計(jì)了一款MTM反熔絲存儲(chǔ)器,并根據(jù)工藝加工參數(shù),自主設(shè)計(jì)了專用的編程器。通過(guò)編程試驗(yàn),總劑量試驗(yàn),單粒子試驗(yàn)證明了電路的功能和參數(shù)指示符合設(shè)計(jì)的要求。此款MTM反熔絲電路與國(guó)外同類產(chǎn)品相比,也有不足之處,第一、電路在存儲(chǔ)器全地址編程的一次性成功率上還有待提高,國(guó)外此類產(chǎn)品的成功率一般在90%以上,此款電路全地址編程的一次性成功率在60%左右。第二、國(guó)外此類電路在設(shè)計(jì)上一般會(huì)加入冗余存儲(chǔ)器陣列,這個(gè)冗余存儲(chǔ)器陣列可以方便測(cè)試和工藝進(jìn)行優(yōu)化,對(duì)尋找最佳編程條件也會(huì)帶來(lái)便利,由于受電路面積所限,此款電路沒有設(shè)計(jì)冗余存儲(chǔ)器陣列,在今后的科研工作中在這二個(gè)方面加以改進(jìn)。
【圖文】：

UT28F256的反熔絲單元

UT28F256QLE的反熔絲單元
【學(xué)位授予單位】：西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號(hào)】：TP333

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