【摘要】：本文主要研究在新型工藝的NAND-FLASH下的存儲管理,對主要的幾個算法進行優(yōu)化,并加入一些新算法,以適合新型工藝下的Flash特性,同時提高了性能。 近年來,FLASH存儲器件正在以驚人的速度發(fā)展,越來越多的電子設(shè)備開始采用Flash作為其存儲介質(zhì),而且容量越來越大,速度要求越來越高。由于NAND-Flash工藝的特殊性,必須設(shè)計專用的算法對Flash進行管理,而且算法的好壞在很大程度上影響存儲功能。Flash存儲管理已成為研究Flash設(shè)備的重要課題。 近兩年隨著Flash工藝的改進,不但原有的單層單元(SLC)的Flash在訪問控制上有了變化,還出現(xiàn)了使用多層單元(MLC)新型工藝的Flash,并且將很快替代單層單元(SLC)Flash。新型的Nand-Flash在訪問方式上和內(nèi)在特性上都與傳統(tǒng)的Flash有很大不同,傳統(tǒng)的Flash存儲管理算法在速度和穩(wěn)定性上都已不能適應(yīng)新型Flash。本文在SLC-Flash管理算法的基礎(chǔ)上,分析了MLC-NandFlash的特性,提出了3種適合不同應(yīng)用場合的Flash管理系統(tǒng),其中使用了雙向標(biāo)簽、塊內(nèi)快速物理查找表,頁面緩存、一次寫入等幾個改進關(guān)鍵模塊的結(jié)構(gòu)和算法。經(jīng)過測試,本文優(yōu)化過的管理模塊在速度,穩(wěn)定性和抗衰老性上都有較大的提高。
【圖文】：

圖 1-1 Nand-Flash 市場需求增長預(yù)期圖（gather Data quest 2006.5）Figure 1-1 Nand-Flash Market Growth（gather Data quest 2006.5）普通的存儲介質(zhì)相同，使用 Flash 作為存儲系統(tǒng)的介質(zhì)需要一套完。普通的硬盤是按照扇區(qū)（sector）為單位做讀寫操作的，每個扇 512 字節(jié)。因為 Flash 的結(jié)構(gòu)、特性比較特殊，因此管理系統(tǒng)也與理系統(tǒng)有很大不同。

EEPROM 結(jié)構(gòu)相似，，F(xiàn)lash 的單元結(jié)構(gòu)在 MOS 管層游離的門極，如圖 2-3，用二氧化硅絕緣體與柵極柵極(控制門)Figure 2-2 Transaction of MOS Cell
【學(xué)位授予單位】：上海交通大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2007
【分類號】：TP333

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本文編號：2618022