【摘要】：伴隨著SOC設計方法發(fā)展,人們越來越重視基于IP核復用的設計,同時業(yè)界對于可復用的IP核的需求越來越強烈。微處理器和眾多電子產品中使用最多的存儲器部件就是有低功耗特點的靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM。就目前的需求,采用硬件描述語言實現的靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM已經無法滿足當前的設計要求,目前設計高速低功耗的SRAM存儲器多采用全定制設計的方法。 全定制設計的模塊具有一定的可配置性和可重用性,這就可以抵消全定制設計開銷大的缺點,減小設計代價。因此,研究設計可配置結構的SRAM IP核具有重要的使用價值和實踐意義。 本文采用全定制設計方法實現了一款16Kb的SRAM IP核。使用在0.5μmCMOS工藝下,完成了從電路設計、存儲器版圖設計、到投片驗證以及最終IP化的完整設計流程。本文所提出的一種可配置譯碼結構在不改變電路設計的基礎上實現64位和128位兩種位寬的數據讀寫。 此外,基于H樹的編譯器容量擴展方法,是本文研究的一種具有低功耗特點的結構,優(yōu)化設計了針對本文需要的一種電流模式的敏感放大器,它的功耗僅為普通鎖存器結構功耗的60%。 得出數據寫入延遲為1.85ns,數據的讀出數據延時為1.98ns, SRAM工作的平均功耗為39.55mW。訪問時間減小了12%,平均功耗減小了19%。
【學位授予單位】：湖南大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2012
【分類號】：TP333;TN432

【參考文獻】

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本文編號：2606029