【摘要】：在硅基存儲(chǔ)器件單元格中是以編碼“0”和“1”來作為電荷存儲(chǔ)的數(shù)量,然而高分子存儲(chǔ)器則是以一種完全不同的方式存儲(chǔ)電荷,即在同一外加電壓下器件可以響應(yīng)為高或者低的導(dǎo)電態(tài),這里的高導(dǎo)電態(tài)(ON態(tài))和低導(dǎo)電態(tài)(OFF態(tài))相當(dāng)于硅基器件中的“1”態(tài)和“0”態(tài)。高分子信息存儲(chǔ)材料具有結(jié)構(gòu)易于調(diào)變、柔性好、易于加工、成本低、3維堆疊能力和高容量存儲(chǔ)等優(yōu)勢(shì),有著非常廣泛的潛在應(yīng)用前景,其中具有開關(guān)行為的D-A型高分子(復(fù)合)材料由于可以通過對(duì)其化學(xué)結(jié)構(gòu)進(jìn)行廣泛的修飾來調(diào)節(jié)其記憶性能而受到了極大的關(guān)注。因此,本課題開展的工作主要是圍繞制備具有適合的D/A強(qiáng)度的信息存儲(chǔ)材料這一重要設(shè)計(jì)思路來進(jìn)行的,制備了一系列新的D-A型含芴功能高分子材料,對(duì)材料的基本結(jié)構(gòu)及記憶開關(guān)性能進(jìn)行了初步研究。 第一章簡要介紹了存儲(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)、類型及其特征工作曲線,并綜述了D-A型芴基高分子信息存儲(chǔ)材料的研究進(jìn)展。 第二章通過Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)合成了可溶性共軛高分子聚[{9-(4-甲氧苯基)-9H-咔唑}(9,9-二辛基芴)(2,5-二苯基-1,3,4-VA二唑)](PCFO),其絕對(duì)熒光量子效率從THF稀溶液中的49.1%降低到固態(tài)薄膜中的16.2%,電化學(xué)測(cè)試計(jì)算得到的HOMO-LUMO能帶隙(3.07eV)與紫外可見邊緣吸收數(shù)據(jù)所計(jì)算的光學(xué)能帶隙(3.06eV)幾乎一致。該高分子制備的器件表現(xiàn)出典型的WORM型記憶性能,開啟電壓為-2.3V,ON/OFF電流開關(guān)比約為105。 第三章設(shè)計(jì)合成了共軛高分子聚[(N,N-二苯基苯胺)(9,9-二辛基芴){9,9-二[4-(3,4-二氰基苯氧基)苯基]芴}](PAFF),其中主鏈上的三苯胺作為共軛電子給體,側(cè)鏈的氰基基團(tuán)作為電子受體。與高分子的THF溶液相比,高分子薄膜的紫外可見吸收譜和熒光發(fā)射光譜都出現(xiàn)了紅移；高分子在溶液中的熒光發(fā)射光譜隨著溶劑極性的增加發(fā)生不同程度的寬化和紅移。由高分子PAFF制備的薄膜器件表現(xiàn)出典型的WORM型記憶特性,開啟電壓為-1.5V,ON/OFF電流開關(guān)比大于104。 第四章設(shè)計(jì)合成了一種含芴和咔唑的給體共軛型高分子PCF-OH,將其分別接枝到表面酰氯化的GO和MWNTs上。與PCF-OH溶液相比,PCF-GO和PCF-MWNT在溶液中的熒光光強(qiáng)度都有了顯著的降低,樣品在稀釋溶液中的絕對(duì)熒光量子效率(Φ)的下降進(jìn)一步證實(shí)了這種淬滅現(xiàn)象,拉曼表征顯示高分子接枝后的復(fù)合材料其D帶和G帶都出現(xiàn)了不同程度的變化,材料的記憶性能正在測(cè)試中。
【學(xué)位授予單位】：華東理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2012
【分類號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

1 莊小東;新型高分子信息存儲(chǔ)材料的設(shè)計(jì)與制備[D];華東理工大學(xué);2011年

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本文編號(hào)：2536290