【摘要】：針對輻照前高溫老練(Burn-in)影響SRAM器件的抗總劑量輻射能力問題,進行了實驗研究。選取了3種不同工藝尺寸SRAM存儲器,利用60 Co放射源對經(jīng)過高溫老煉和不經(jīng)過高溫老煉(No Burnin)的樣品進行了總劑量輻照實驗,測量了輻照引起的SRAM器件的數(shù)據(jù)位翻轉(zhuǎn)數(shù),得到了Burn-in對不同工藝尺寸SRAM器件總劑量效應(yīng)的影響規(guī)律。針對0.25μm工藝SRAM器件開展了不同Burn-in溫度影響器件抗輻射能力的實驗研究,得到了器件抗輻射性能與Burn-in溫度之間的關(guān)系。結(jié)果表明,SRAM器件的工藝尺寸越小,抗總劑量能力越強,且受Burn-in的影響越小;Burn-in時的溫度越高,對器件的抗總劑量水平影響越大。
[Abstract]:The effect of high temperature aging (Burn-in) on the total dose radiation resistance of SRAM devices before irradiation was studied. Three kinds of SRAM memory with different process sizes were selected. The total dose irradiation experiments of (No Burnin) samples aged at high temperature and not aged at high temperature were carried out by using 60 Co radioactive sources. The data bit flip number of SRAM devices caused by irradiation was measured, and the influence of Burn-in on the total dose effect of SRAM devices with different process sizes was obtained. An experimental study on the influence of different Burn-in temperature on the radiation resistance of 0.25 渭 m SRAM devices has been carried out, and the relationship between the radiation resistance of the devices and the Burn-in temperature has been obtained. The results show that the smaller the process size of SRAM device is, the stronger the anti-total dose ability is, and the less affected by Burn-in, and the higher the temperature at Burn-in, the greater the effect on the anti-total dose level of the device.
【作者單位】： 西北核技術(shù)研究所強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點實驗室;
【分類號】：TP333;TN791

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