【摘要】：進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品的種類越來(lái)越多，應(yīng)用于其中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的新品種也不斷涌現(xiàn)。其中非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器以其更先進(jìn)更適應(yīng)于時(shí)代發(fā)展的特點(diǎn)成為主流。EEPROM存儲(chǔ)器(Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory)就是其中的代表。EEPROM使用單電源供電，使用上十分方便，在嵌入式IC卡市場(chǎng)及通訊系統(tǒng)中被大量應(yīng)用。 論文的主要工作是實(shí)現(xiàn)完整的可復(fù)用的中小規(guī)模EEPROM IP的設(shè)計(jì)。論文首先研究了EEPROM存儲(chǔ)器的工作原理，完成了基準(zhǔn)電壓源、電荷泵、靈敏放大器、EEPROM Cell單元等關(guān)鍵技術(shù)研究，利用Cadence公司的Virtuoso平臺(tái)對(duì)EEPROM的存儲(chǔ)陣列、行地址譯碼、列地址譯碼、時(shí)序電路、數(shù)據(jù)寄存器、地址寄存器等數(shù)字電路模塊以及高壓產(chǎn)生電路、靈敏放大器電路等模擬電路模塊進(jìn)行了設(shè)計(jì)、仿真。 論文采用先整體規(guī)劃，再對(duì)各個(gè)電路分別進(jìn)行設(shè)計(jì)的自上而下的方案，結(jié)合實(shí)驗(yàn)室多年積累的模擬與數(shù)字電路設(shè)計(jì)方面的經(jīng)驗(yàn)，完成了1K EEPROM IP存儲(chǔ)器電路級(jí)的設(shè)計(jì)，并對(duì)一部分關(guān)鍵電路模塊進(jìn)行了物理版圖的設(shè)計(jì)。論文設(shè)計(jì)采用了CSMC（華潤(rùn)上華）0.5μm CMOS工藝，設(shè)計(jì)的高壓產(chǎn)生電路能產(chǎn)生20V的穩(wěn)定電壓，升壓時(shí)間約220μs，能快速達(dá)到工作高壓。
[Abstract]:Since the beginning of the 21st century, there are more and more kinds of portable consumer electronics, and new varieties of semiconductor memory are also emerging. Among them, non-volatile semiconductor memory has become the mainstream because it is more advanced and suitable for the development of the times. EEPROM memory (Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory) is the representative of EEPROM. EEPROM uses single power supply and is very convenient to use. EEPROM is widely used in embedded IC card market and communication system. The main work of this paper is to realize the design of reusable small and medium-sized EEPROM IP. Firstly, the working principle of EEPROM memory is studied, and the key technologies such as reference voltage source, charge pump, sensitive amplifier, EEPROM Cell unit and so on are studied. The digital circuit modules such as EEPROM storage array, address decoding, column address decoding, sequential circuit, data register, address register and analog circuit modules such as high voltage generation circuit and sensitive amplifier circuit are designed and simulated by using Virtuoso platform of Cadence Company. In this paper, the top-down scheme of each circuit is designed first, and combined with the experience of analog and digital circuit design accumulated in the laboratory for many years, the circuit level design of 1K EEPROM IP memory is completed, and the physical layout of some key circuit modules is designed. In this paper, CSMC (China Resources Shanghua) 0.5 渭 m CMOS process is used in the design. The high voltage generation circuit can generate a stable voltage of 20V, the boost time is about 220 渭 s, and the working high voltage can be achieved quickly.
【學(xué)位授予單位】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2013
【分類號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2503905