【摘要】：隨著微電子工藝的不斷進步,SoC芯片設計中SRAM所占面積越來越大,SRAM的缺陷率成為影響芯片成品率的重要因素。提出了一種可擴展的存儲器自修復算法(S-MBISR),在對冗余的SRAM進行修復時,可擴展利用存儲器訪問通路中校驗碼的糾錯能力,在不改變SRAM結構的前提下能夠進一步提高存儲器的容錯能力,進而提高芯片成品率。最后對該算法進行了RTL設計實現。后端設計評估表明,該算法能夠工作在1GHz頻率,面積開銷僅增加1.5%。
[Abstract]:......
【作者單位】： 江南計算技術研究所;數學工程與先進計算國家重點實驗室;
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：2486342